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公开(公告)号：CN108346622B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710061083.9
申请日：2017-01-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：提供包括显示区和位于所述显示区外围的引线区的衬底基板，在所述引线区中形成连接电极的过程中保留用于对其进行构图工艺的第一光刻胶层，然后在所述衬底基板上沉积反射像素电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述显示区中形成反射像素电极层且在所述引线区内去除所述反射像素电极层薄膜以暴露出所述第一光刻胶层，然后同时去除所述反射像素电极层上用于对所述反射像素电极层薄膜进行构图的第二光刻胶层和所述引线区内的所述第一光刻胶层。上述第一光刻胶层可防止形成反射像素电极层时用的腐蚀液其它部件造成腐蚀；第一光刻胶层与第二光刻胶层同时去除可以省掉一次光刻胶清洗工艺。
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公开(公告)号：CN107808886B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201711058192.1
申请日：2017-11-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 一种过孔连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法及显示装置，该过孔连接结构的制造方法包括：在基板上形成第一导电层并对第一导电层进行构图使得第一导电层包括第一导电图案，在第一导电图案之上形成第一光阻图案，第一光阻图案覆盖预定过孔区域；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层以及第一光阻图案，对第一绝缘层进行构图以在预定过孔区域形成第一过孔，并暴露出第一光阻图案的至少部分；除去第一过孔中暴露出的第一光阻层的至少部分，然后形成第二导电层，其中第二导电层经第一过孔与第一导电层连接。该方法可以在不增加掩膜板数量的情况下保护第一金属层在刻蚀过孔时不被损伤。
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公开(公告)号：CN106847756B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710005691.8
申请日：2017-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，包括：在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；在半导体层上形成源漏金属层的图形；形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层；对半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；去除保护层。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在形成源漏金属层的图形后，形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层，因而在对半导体层进行刻蚀时，不会对源漏金属层产生腐蚀，并且在形成沟道区域后去除保护层，所以也不会改变薄膜晶体管的结构。
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公开(公告)号：CN105489596A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610003750.3
申请日：2016-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及制作方法，涉及显示领域。其中，阵列基板包括依次形成在衬底基板上的金属图形以及导电图形，所述导电图形与所述金属图形绝缘，与所述导电图形同层同材料形成的静电释放图形，所述静电释放图形与所述导电图形绝缘，并连接所述金属图形。本发明的方案在形成导电图形的制作工艺中还额外形成一个用于与金属图形连接的静电释放图形，该静电释放图形用于释放金属图形上一部分静电，防止金属图形的静电击穿到导电图形上，从而与导电图形短接。由于该静电释放图形可以采用导电图形的构图工艺形成，因此本实施例的阵列基板并不会额外增加制作成本，具有很高应用价值。
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公开(公告)号：CN107678596B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201710941348.4
申请日：2017-10-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种触控基板母板，包括衬底，所述衬底包括多个触控区和将多个触控区彼此间隔开的间隔区，所述触控区中设置有触控电极层，每个触控区的触控电极层包括多个触控电极，所述间隔区中设置有导电结构，每个触控电极均与所述导电结构电连接。相应地，本发明还提供一种触控显示屏和一种触控显示面板的制作方法。本发明能够减少液晶盒中的液晶因受到静电而发生偏转的现象。
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公开(公告)号：CN105489596B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610003750.3
申请日：2016-01-04
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种阵列基板及制作方法，涉及显示领域。其中，阵列基板包括依次形成在衬底基板上的金属图形以及导电图形，所述导电图形与所述金属图形绝缘，与所述导电图形同层同材料形成的静电释放图形，所述静电释放图形与所述导电图形绝缘，并连接所述金属图形。本发明的方案在形成导电图形的制作工艺中还额外形成一个用于与金属图形连接的静电释放图形，该静电释放图形用于释放金属图形上一部分静电，防止金属图形的静电击穿到导电图形上，从而与导电图形短接。由于该静电释放图形可以采用导电图形的构图工艺形成，因此本实施例的阵列基板并不会额外增加制作成本，具有很高应用价值。
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公开(公告)号：CN107678596A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710941348.4
申请日：2017-10-11
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种触控基板母板，包括衬底，所述衬底包括多个触控区和将多个触控区彼此间隔开的间隔区，所述触控区中设置有触控电极层，每个触控区的触控电极层包括多个触控电极，所述间隔区中设置有导电结构，每个触控电极均与所述导电结构电连接。相应地，本发明还提供一种触控显示屏和一种触控显示面板的制作方法。本发明能够减少液晶盒中的液晶因受到静电而发生偏转的现象。
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公开(公告)号：CN107644879A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710848240.0
申请日：2017-09-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/02 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了制备阵列基板的方法、阵列基板、显示装置。该方法包括：在基板上设置多个阵列排布的薄膜晶体管；在所述基板上沉积第一透明电极层，对所述第一透明电极层进行第一构图工艺处理，以便形成多个与所述薄膜晶体管的漏极相连的第一电极，以及连接相邻的所述第一电极的连接电极；在所述第一透明电极层远离所述基板的一侧设置功能结构；以及对所述连接电极进行第二构图工艺处理，断开所述连接电极，以在所述第一电极边缘形成凸出的连接部。由此，可以利用简单的制备工艺，消除阵列基板在制备过程中由静电击穿造成的各种不良。
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公开(公告)号：CN111338142A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010281302.6
申请日：2020-04-10
申请人： 成都京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板为双栅线阵列基板；所述阵列基板具有多个子像素，所述子像素内布置有存储电容和扩展存储电容，所述扩展存储电容和所述存储电容并联。本方案通过增加一个与存储电容并联的扩展存储电容，从而增加了存储电容容量，避免显示基板中信号线之间的耦合电容在存储电容的容量不够大时，影响显示面板的显示，改善了显示均一性。
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公开(公告)号：CN108346622A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710061083.9
申请日：2017-01-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 成都京东方光电科技有限公司
摘要： 一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该制备方法包括：提供包括显示区和位于所述显示区外围的引线区的衬底基板，在所述引线区中形成连接电极的过程中保留用于对其进行构图工艺的第一光刻胶层，然后在所述衬底基板上沉积反射像素电极层薄膜并对其进行构图工艺以在所述显示区中形成反射像素电极层且在所述引线区内去除所述反射像素电极层薄膜以暴露出所述第一光刻胶层，然后同时去除所述反射像素电极层上用于对所述反射像素电极层薄膜进行构图的第二光刻胶层和所述引线区内的所述第一光刻胶层。上述第一光刻胶层可防止形成反射像素电极层时用的腐蚀液其它部件造成腐蚀；第一光刻胶层与第二光刻胶层同时去除可以省掉一次光刻胶清洗工艺。
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