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公开(公告)号：CN105492384B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480046680.9
申请日：2014-08-28
申请人： 国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
IPC分类号： C01B32/162
CPC分类号： C01B32/158 , C01B32/162 , C23C16/26 , C23C16/448
摘要： 本发明提供一种制造装置、供给单元及碳纳米管的制造方法。所述制造装置为通过气相催化法来制造碳纳米管的制造装置，具备：第一腔室，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置、第一调温装置，可调整第一腔室内的成长区域的温度；调压装置、调压装置，可调整第一腔室内的压力；第一供给装置，可对第一腔室内的成长区域供给碳源；第一气化装置(包含加热器)，可将配置在制造装置内的液体气化；第一气化装置(包含加热器)可将液体气化，以将由液体所含有的含铁族元素物质及含卤素物质所形成的至少一种气相催化剂供给至第一腔室内的成长区域。该制造装置可以提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性。
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公开(公告)号：CN103311437B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310079471.1
申请日：2013-03-13
申请人： 捷恩智株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D307/77
CPC分类号： H01L51/0074 , C09B57/00 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 本发明提供一种包含有机半导体材料的有机半导体膜、以及含有所述有机半导体膜的有机半导体元件及有机场效应晶体管，所述有机半导体材料的合成容易，化学及物理特性稳定，且显示出高的载流子迁移率。本发明的有机半导体薄膜含有下述式(1)所表示的化合物。[式(1)中，X为氧、硫或硒]。
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公开(公告)号：CN105492383A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046650.8
申请日：2014-08-28
申请人： 国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B32/16 , B01J23/745 , C01B32/162
摘要： 本发明提供一种制造装置作为提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性的手段，所述制造装置通过气相催化法来制造碳纳米管，并且所述制造装置的特征在于具备：第一腔室，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置，可调整第一腔室内的成长区域的温度；调压装置，可调整第一腔室内的压力；第一供给装置，可对第一腔室内的成长区域供给碳源；第二调温装置，可调整配置在制造装置内的固相的含铁族元素材料的温度；以及第二供给装置，可对制造装置内供给含卤素物质，以使经第二调温装置调整为既定温度的含铁族元素材料可与气相的含卤素物质反应。
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公开(公告)号：CN103311437A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310079471.1
申请日：2013-03-13
申请人： 捷恩智株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D307/77
CPC分类号： H01L51/0074 , C09B57/00 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 本发明提供一种包含有机半导体材料的有机半导体膜、以及含有所述有机半导体膜的有机半导体元件及有机场效应晶体管，所述有机半导体材料的合成容易，化学及物理特性稳定，且显示出高的载流子迁移率。本发明的有机半导体薄膜含有下述式(1)所表示的化合物。[式(1)中，X为氧、硫或硒]。
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公开(公告)号：CN104125951B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380009882.1
申请日：2013-02-20
申请人： 捷恩智株式会社
IPC分类号： C07D307/77 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0073 , C07D307/77 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0074 , H01L51/0512 , H01L51/0558
摘要： 本发明提供一种合成容易、化学稳定性优异、具有半导体特性(高的载子移动率)、且具有对溶剂的高溶解性的含硫族元素有机化合物与其制造方法、有机半导体材料、有机半导体膜及有机场效应晶体管。本发明为式(1)或式(2)所表示的化合物。
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公开(公告)号：CN105492384A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046680.9
申请日：2014-08-28
申请人： 国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B32/158 , C01B32/162 , C23C16/26 , C23C16/448
摘要： 本发明提供一种制造装置作为提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性的手段，所述制造装置为通过气相催化法来制造碳纳米管的制造装置10，其特征在于具备：第一腔室14，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置16、第一调温装置18，可调整第一腔室内14的成长区域的温度；调压装置23、调压装置24，可调整第一腔室14内的压力；第一供给装置30，可对第一腔室14内的成长区域供给碳源；第一气化装置(包含加热器31B)，可将配置在制造装置10内的液体L气化；第一气化装置(包含加热器31B)可将液体L气化，以将由液体L所含有的含铁族元素物质及含卤素物质所形成的至少一种气相催化剂供给至第一腔室14内的成长区域。
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公开(公告)号：CN104812701A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060952.6
申请日：2013-10-12
申请人： 捷恩智株式会社
CPC分类号： C01B31/0226 , C01B31/00 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/34 , D02G3/02 , D04H3/002
摘要： 本发明提供一种碳纳米管阵列的制造方法，其特征在于具备：第一步骤，作为提高利用气相催化剂法制造的CNT阵列的生产性的手段以及提高其CNT阵列的纺织性的手段，使基板存在于含有气相催化剂的氛围内，上述基板具备由含有硅氧化物的材料构成的面即基面作为其表面的至少一部分；以及第二步骤，通过使原料气体及气相助催化剂存在于含有上述气相催化剂的氛围中，使多个碳纳米管生长在上述基板的基面上，在上述基面上获得由上述多个碳纳米管构成的碳纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN107207262A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074127.0
申请日：2015-10-26
申请人： 国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
IPC分类号： C01B32/162 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , D02J1/00
摘要： 本发明提供一种可纺性良好的CNT森林及这种CNT森林的制造方法，CNT森林(45)将包含具有通过开放部(41)与外部连通的内部空间(42)的开口基板(40)中的内表面(43)的至少一部分的面作为生长基面(44)而形成，其中，在开放部(41)侧的端(46)具有可纺出部(47)。
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公开(公告)号：CN105492383B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201480046650.8
申请日：2014-08-28
申请人： 国立大学法人静冈大学 , 捷恩智株式会社
IPC分类号： C01B32/16
CPC分类号： C01B32/16 , B01J23/745 , C01B32/162
摘要： 本发明提供一种制造装置、供给单元及碳纳米管的制造方法。本发明提供一种制造装置作为提高通过气相催化法所制造的碳纳米管的生产性的手段，所述制造装置通过气相催化法来制造碳纳米管，并且所述制造装置具备：第一腔室，具有作为形成碳纳米管的区域的成长区域；第一调温装置，可调整第一腔室内的成长区域的温度；调压装置，可调整第一腔室内的压力；第一供给装置，可对第一腔室内的成长区域供给碳源；第二调温装置，可调整配置在制造装置内的固相的含铁族元素材料的温度；以及第二供给装置，可对制造装置内供给含卤素物质，以使经第二调温装置调整为既定温度的含铁族元素材料可与气相的含卤素物质反应。
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公开(公告)号：CN104812701B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201380060952.6
申请日：2013-10-12
申请人： 捷恩智株式会社
CPC分类号： C01B31/0226 , C01B31/00 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/34 , D02G3/02 , D04H3/002
摘要： 本发明提供一种碳纳米管阵列的制造方法、纺织源构件、构造体及复合构造体，碳纳米管阵列的制造方法具备：第一步骤，作为提高利用气相催化剂法制造的CNT阵列的生产性的手段以及提高其CNT阵列的纺织性的手段，使基板存在于含有气相催化剂的氛围内，上述基板具备由含有硅氧化物的材料构成的面即基面作为其表面的至少一部分；以及第二步骤，通过使原料气体及气相助催化剂存在于含有上述气相催化剂的氛围中，使多个碳纳米管生长在上述基板的基面上，在上述基面上获得由上述多个碳纳米管构成的碳纳米管阵列。通过实施本发明的制造方法，可提高CNT阵列的生产性并且更稳定地制造纺织性出色的CNT阵列。
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