闪光装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102147557A

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN201110034333.2

    申请日:2011-02-01

    IPC分类号: G03B15/05 F21V5/04

    摘要: 本发明提供一种结构简单、能实现小型化、且光学设计容易的闪光装置。闪光装置(1)构成为包含:发光元件(12);驱动发光元件的第1驱动单元(15);配置在发光元件的上方的聚光单元(14);配置在发光元件和聚光单元之间的光控制单元(13);以及驱动光控制单元的第2驱动单元(16)。聚光单元通过使至少第1菲涅耳透镜和第2菲涅耳透镜混在一起而构成,第1菲涅耳透镜和第2菲涅耳透镜彼此的F值不同。当通过第1驱动单元驱动发光元件、从该发光元件输出光时,第2驱动单元驱动光控制单元,使得光控制单元的例如与第1菲涅耳透镜对应的部分的光透射度相对高而与第2菲涅耳透镜对应的部分的光透射度相对低。

    半导体发光装置及半导体发光模块

    公开(公告)号:CN116157932A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180063944.1

    申请日:2021-09-21

    IPC分类号: H01L33/58

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置具有:发光元件组件,其具有半导体发光元件和导光部件,所述半导体发光元件具有支承基板和设置在支承基板上的发光半导体层;所述导光部件通过粘接层与半导体发光元件粘接,以及,第一覆膜,其由无机材料构成,该无机材料是包覆发光元件组件的侧面的光反射体。

    半导体发光元件、半导体发光装置及半导体发光装置模块

    公开(公告)号:CN118830092A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202380025532.8

    申请日:2023-02-14

    摘要: 一种半导体发光元件(10),其包括:绝缘性或半绝缘性的基板(11);发光功能层(15),其在基板(11)上依次层叠了第一极性的第一半导体层(12)、发光层(13)、第二极性的第二半导体层(14)而形成;绝缘膜(25),其覆盖发光功能层(15);设置在绝缘膜(25)上的第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)以及至少一个中间焊盘(29),第一焊盘电极(28B)和第二焊盘电极(28A)分别与第一半导体层(12)和第二半导体层(14)电连接,至少一个中间焊盘(29)与发光功能层(15)电绝缘;焊盘分离槽(GP),将第一焊盘电极(28B)、第二焊盘电极(28A)及中间焊盘(29)分别隔开,并且使绝缘膜(25)露出。

    半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板

    公开(公告)号:CN116547801A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180081862.X

    申请日:2021-12-02

    IPC分类号: H01L23/12

    摘要: 具有半导体发光层叠体和SOI基板,半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成,在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极,SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有:经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极;与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极;设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极;经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极,p‑电极和n‑电极分别与第一布线电极和第二布线电极接合。

    半导体发光装置和半导体发光模块

    公开(公告)号:CN118302868A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202280075469.4

    申请日:2022-09-21

    IPC分类号: H01L33/58 H01L33/50

    摘要: 具备:布线基板,其在基体上设置有p电极和n电极;发光功能层,其包括与p电极和n电极连接的p型半导体层和n型半导体层,并贴合于布线基板;透光性光学元件,其具有遮光膜,该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面,并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部;以及粘接层,其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面。凹部内被所述粘接层填充。

    半导体发光装置和半导体发光模块

    公开(公告)号:CN118216012A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202280074318.7

    申请日:2022-09-21

    IPC分类号: H01L33/58 H01L33/50

    摘要: 半导体发光装置具备:布线基板,其在基板背面设置有p电极和n电极;发光功能层,其包括与p电极连接的p型半导体层、发光层、以及与n电极连接的n型半导体层,并贴合于布线基板的上表面;透光性光学元件,其具有遮光膜,该遮光膜设置于具有板形状的透光性光学体的侧面,并且覆盖在透光性光学体的背面的周缘部上而在周缘部上形成环状的框体部;以及粘接层,其以发光功能层插入框体部内侧的凹部内的方式将透光性光学元件粘接于布线基板的上表面,凹部内被粘接层填充。

    半导体发光装置及半导体发光模块

    公开(公告)号:CN116349020A

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202180069609.2

    申请日:2021-10-11

    IPC分类号: H01L33/60

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。该半导体发光装置等具有发光元件组件和第一覆膜,发光元件组件具有半导体发光元件和导光部件,该半导体发光元件具有支承基板和设置在支承基板上的发光半导体层;导光部件通过元件粘接层与半导体发光元件粘接。第一覆膜利用侧壁粘接层被粘接于发光元件组件的侧面,并由作为包覆该侧面的光反射体的无机材料构成。

    半导体发光元件及闪光装置

    公开(公告)号:CN102810616B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201210179895.0

    申请日:2012-06-01

    IPC分类号: H01L33/38 G03B15/05 H04N5/235

    摘要: 半导体发光元件及闪光装置。本发明提供了一种发光元件,其包括第一半导体层、导电类型与第一半导体层的导电类型不同的第二半导体层、设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层,以及分别设置在第一半导体层的表面上和第二半导体层的表面上的第一电极和第二电极。第一电极包括彼此分开的多个电极片;并且各个电极片包括馈电盘和连接到馈电盘并且沿远离馈电盘的方向延伸的延伸部,并且电极片的延伸部的终端部与另一电极片的延伸部的终端部隔着间隙相对。

    半导体发光元件及闪光装置

    公开(公告)号:CN102810616A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210179895.0

    申请日:2012-06-01

    IPC分类号: H01L33/38 G03B15/05 H04N5/235

    摘要: 半导体发光元件及闪光装置。本发明提供了一种发光元件,其包括第一半导体层、导电类型与第一半导体层的导电类型不同的第二半导体层、设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层,以及分别设置在第一半导体层的表面上和第二半导体层的表面上的第一电极和第二电极。第一电极包括彼此分开的多个电极片;并且各个电极片包括馈电盘和连接到馈电盘并且沿远离馈电盘的方向延伸的延伸部,并且电极片的延伸部的终端部与另一电极片的延伸部的终端部隔着间隙相对。