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公开(公告)号:CN103282559A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201180062930.4
申请日:2011-12-26
CPC分类号: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
摘要: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1(mm),将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2(mm),将坩埚侧壁的厚度设为T(mm),将坩埚的内半径设为R(mm)时,控制装置控制感应加热装置,以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式(1)。(D1-T)×D2/R>1(1)在此,D1由式(2)定义,D2由式(3)定义。D1=503292×(1/(f×σc×μc))1/2(2)D2=503292×(1/(f×σs×μs))1/2(3)在此,σc是侧壁的导电率(S/m),σs是SiC溶液的导电率(S/m)。μc是侧壁的相对磁导率(无量纲量),μs是SiC溶液的相对磁导率(无量纲量)。
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公开(公告)号:CN103282559B
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201180062930.4
申请日:2011-12-26
CPC分类号: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
摘要: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1(mm),将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2(mm),将坩埚侧壁的厚度设为T(mm),将坩埚的内半径设为R(mm)时,控制装置控制感应加热装置,以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式(1)。(D1-T)×D2/R>1(1)在此,D1由式(2)定义,D2由式(3)定义。D1=503292×(1/(f×σc×μc))1/2(2)D2=503292×(1/(f×σs×μs))1/2(3)在此,σc是侧壁的导电率(S/m),σs是SiC溶液的导电率(S/m)。μc是侧壁的相对磁导率(无量纲量),μs是SiC溶液的相对磁导率(无量纲量)。
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公开(公告)号:CN113646165A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202080025738.7
申请日:2020-03-10
IPC分类号: B32B17/02 , B32B17/12 , B32B17/10 , B32B27/02 , B32B27/08 , B32B27/12 , B32B27/36 , B32B27/32 , B62D29/04 , D04H1/46 , B60R16/06 , B62D25/18 , B62D25/20
摘要: 能够在不损害设计性的情况下提高车辆的行驶特性、操纵稳定性,具备自除电功能的车辆用外装构件具有含有针刺无纺布或编织物的纤维成形体。构成纤维成形体的纤维中含有导电性纤维。
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