公开(公告)号：CN116920741A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310802961.3

申请日：2023-07-03

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 齐元红 ,  赵鹏 ,  相文强 ,  李新婷 ,  关鹏羽 ,  刘建海 ,  王伟 ,  刘兴平

IPC分类号： B01J19/00 ,  C01B33/107

摘要： 本发明提供一种制备三氯氢硅的装置及方法，所述装置包括：三氯氢硅合成系统、干法除尘系统、湿法除尘系统、脱重提纯系统和渣浆处理系统；所述三氯氢硅合成系统包括三氯氢硅反应器；所述干法除尘系统中包括旋风分离器；所述湿法除尘系统中包括淋洗塔、再沸器、换热器和第一冷凝器；所述脱重提纯系统中包括脱重塔和碳吸附塔。本发明的装置结合了整个多晶硅行业的气力输送硅粉方式，将利用换热器冷凝混合气作为淋洗的液相的节能技术、三氯氢硅和四氯氢硅组分双向采出的节能手段、渣浆浓缩回收的技术相结合，达到整个系统的有效资源整合，充分地实现低能耗、循环再利用的技术效果，打造出一套可以自行运行，自我补偿的高纯三氯氢硅生产系统。

公开(公告)号：CN118543301A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410577026.6

申请日：2024-05-09

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 刘建海 ,  齐元红 ,  侯雨 ,  相文强 ,  赵鹏 ,  陈坡一 ,  王伟 ,  王燕飞

IPC分类号： B01J8/24 ,  C01B33/107

摘要： 本发明一种流化床反应器及生产氯硅烷的系统，该反应器包括床体、多段式分布器，多段式分布器设于床体内，其包括一级气体分布器、二级气体分布器以及三级气体分布器；一级气体分布器处于床体下部，其中间位置为第一布气区，第一布气区的外围为第二布气区，第一布气区的开孔率小于第二布气区的开孔率；二级气体分布器处于一级气体分布器中的第一布气区的正上方，二级气体分布器的开孔率小于第一布气区的开孔率；三级气体分布器处于二级气体分布器的上方密相区，其开孔率小于第一布气区的开孔率。本发明可改善流化质量、消除沟流等不良现象，能够优化反应器内的气固流动，提高流化质量，利用冷氢化外旋硅粉生产三氯氢硅，实现废硅粉回收利用。

公开(公告)号：CN116873936A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310955390.7

申请日：2023-08-01

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 齐元红 ,  刘兴平 ,  侯雨 ,  刘丹丹 ,  相文强 ,  赵鹏 ,  王伟 ,  侯素娟

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明提供一种三氯氢硅的制备方法，所述方法为：氯化氢气体和硅粉不间断加入到流化床反应器中进行反应，其中氯化氢气体的流量在400～750标方/h内、硅粉的进料量在19～290kg/h内进行调控，获得一组使床层压差稳定的氯化氢气体流量和硅粉进料量，在反应过程中保持氯化氢气体的流量和硅粉的进料量不变；在反应过程调控冷却水通水量使得反应温度维持在340～350℃之间，调控完成后在反应过程中保持冷却水通水量不变。本发明中提供的制备方法能够实现在恒定温度、恒定床层压差下生产三氯氢硅，相较现有技术中采用的集中供料、间断降温的生产方法，能够有效减少副产、提升三氯氢硅的转化率。

公开(公告)号：CN115679349A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110824559.6

申请日：2021-07-21

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 李海龙 ,  相文强 ,  吴友成 ,  豆江为 ,  齐元红

IPC分类号： C25B1/46 ,  C25B1/50

摘要： 本发明公开了一种离子膜法生产烧碱的装置及生产烧碱的方法，该装置包括：离子交换树脂塔，用于对通入的一次盐水进行离子交换除杂得到精制盐水；离子膜电解槽，与离子交换树脂塔连接，用于对通入的精制盐水进行电解；氢气换热器，分别与离子膜电解槽的阴极室、脱盐水储槽、碱性凝液储槽、脱盐水管道、氢气排出管道连接用于换热；脱盐水储槽，用于接收经过换热后升温的脱盐水；碱性凝液储槽，与离子交换树脂塔连接，用于向离子交换树脂塔提供碱性冷凝液。本发明使离子膜电解槽电解得到的高温湿氢气经过脱盐水冷却后，进入氢气冷却系统减少下游冷量消耗，冷却后分离得到的冷凝液为含氢氧化钠的碱性冷凝液，碱性冷凝液用于离子交换树脂塔碱再生使用。

公开(公告)号：CN218144632U

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202222623761.5

申请日：2022-09-30

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆新特晶体硅高科技有限公司

发明人： 齐元红 ,  相文强 ,  侯雨 ,  柴宏斌 ,  侯素娟 ,  刘娟 ,  王强 ,  王伟

IPC分类号： B65G67/04

摘要： 本实用新型提供了一种防溢流装车系统，包括：自回流切断阀；装车切断阀；测量装车流量吨位的流量计；探测液体的高度的液位探测器；控制器，分别与所述自回流切断阀、所述装车切断阀、所述流量计和所述液位探测器连接，所述控制器接收所述液位探测器传递的装车液位信号，向所述自回流切断阀输出控制所述自回流切断阀打开或关闭的第一控制信号，向所述装车切断阀输出控制所述装车切断阀打开或关闭的第二控制信号。本方案的液位探测器在接触液体的液面时向控制器传递装车液位信号，控制器接收装车液位信号后，自动计算判定并切换自回流切断阀和装车切断阀，解决了装车时易出现溢流和二次卸车，对装车人员的操作要求高的问题。

公开(公告)号：CN111036029B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201811196199.4

申请日：2018-10-15

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 侯雨 ,  王惠 ,  宋高杰 ,  相文强 ,  董越杰 ,  赵阳

IPC分类号： B01D53/04 ,  C01B33/021

摘要： 本发明公开了一种多晶硅生产过程中废气的回收方法，该方法使用吸附装置对废气进行回收，吸附装置包括吸附柱，包括以下步骤：1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱，吸附柱内装填有吸附剂，通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物；2)将吸附柱进行分段解析，先解析出吸附的氯硅烷，再解析出吸附的其余杂质。本发明中的回收方法通过分段解析将吸附柱吸附的杂质进行分离，将吸附柱吸附的氯硅烷与其余的杂质分离开，这样可以充分有效的回收利用氯硅烷，而且能够去除氯硅烷中的大量杂质，提高氯硅烷的纯度，且该回收方法回收效率高，能耗低，并且可以通过选择性回收，降低回收氯硅烷中的杂质含量，提高原料和产品的品质。

公开(公告)号：CN111036029A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201811196199.4

申请日：2018-10-15

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 侯雨 ,  王惠 ,  宋高杰 ,  相文强 ,  董越杰 ,  赵阳

IPC分类号： B01D53/04 ,  C01B33/021

摘要： 本发明公开了一种多晶硅生产过程中废气的回收方法，该方法使用吸附装置对废气进行回收，吸附装置包括吸附柱，包括以下步骤：1)将多晶硅生产过程中的废气通入吸附装置的吸附柱，吸附柱内装填有吸附剂，通过吸附剂吸附废气中的氯硅烷、硼、磷、金属氯化物；2)将吸附柱进行分段解析，先解析出吸附的氯硅烷，再解析出吸附的其余杂质。本发明中的回收方法通过分段解析将吸附柱吸附的杂质进行分离，将吸附柱吸附的氯硅烷与其余的杂质分离开，这样可以充分有效的回收利用氯硅烷，而且能够去除氯硅烷中的大量杂质，提高氯硅烷的纯度，且该回收方法回收效率高，能耗低，并且可以通过选择性回收，降低回收氯硅烷中的杂质含量，提高原料和产品的品质。

公开(公告)号：CN109422267A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710756829.8

申请日：2017-08-29

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 相文强 ,  宋高杰 ,  侯雨 ,  张伟 ,  夏祥剑 ,  孙荣义 ,  陈朝霞 ,  王惠

IPC分类号： C01B33/03

摘要： 本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。

公开(公告)号：CN107648979A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201610592188.2

申请日：2016-07-26

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 相文强 ,  张吉武 ,  侯雨 ,  张凯兴 ,  孙荣义 ,  黄鹏

IPC分类号： B01D53/02 ,  B01D53/14

CPC分类号： B01D53/02 ,  B01D53/14 ,  B01D2257/2025

摘要： 本发明公开了一种处理多晶硅生产中尾气的方法及系统，该方法包括以下步骤：对多晶硅生产中尾气进行吸附，吸附多晶硅生产中尾气中的二氯二氢硅、三氯氢硅、氯化氢，得到经过吸附后的多晶硅生产中尾气；将被吸附的物质进行脱附，得到脱附出来的多晶硅生产中尾气，脱附出来的多晶硅生产中尾气包括二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢；使用含有液态的四氯化硅的淋洗液冷凝并淋洗脱附出来的多晶硅生产中尾气，得到经过淋洗的淋洗液和经过淋洗的多晶硅生产中尾气，经过淋洗的淋洗液包括四氯化硅、二氯二氢硅、三氯氢硅和氯化氢。解决了现有的低温冷凝技术无法实现尾气中氯硅烷的有效回收，同时继续降低冷凝温度增加冷却介质消耗及设备投资的缺陷问题。

公开(公告)号：CN106433223A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510486054.8

申请日：2015-08-10

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 胡光健 ,  陈朝霞 ,  张伟 ,  黄彬 ,  相文强

IPC分类号： C09C1/28 ,  C09C3/12 ,  C09C3/08

摘要： 本发明公开了一种气相二氧化硅表面改性的方法，包括以下步骤：(1)将气相二氧化硅在200～300℃下进行预处理10～30分钟，提高气相二氧化硅的表面羟基的活性；(2)将气相二氧化硅与表面处理剂在350～450℃下，反应5～60分钟，得到经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅。通过本发明中的方法对气相二氧化硅进行了有效的改性，经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅的羟基值大大降低，气相二氧化硅经过表面处理后，其表面的部分羟基被有机基团取代。本发明中的方法，对气相二氧化硅的表面处理程度更高，改性后的气相二氧化硅表面羟基含量在0.5个/nm2以下，能够应用于中极性到强极性体系，起到增稠触变、改善流变性的作用。