公开(公告)号：CN108569432B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201710131867.4

申请日：2017-03-07

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 杜康 ,  王明明 ,  夏进京 ,  周迎春 ,  陈国辉 ,  宋高杰 ,  黄彬 ,  刘兴平

IPC分类号： B65B37/18

摘要： 本发明提供一种多晶硅的称重方法，包括：将上游输送的破碎后的多晶硅块按照不同的尺寸范围分别送入对应的各个加料仓Ci内，其中1≤i≤n，n为整数，且Ci的i值与对应的多晶硅块的尺寸成反比；按照1至n的顺序先后打开、关闭各个加料仓Ci的仓门，使加料仓Ci中的多晶硅块落入位于各个加料仓出口下方的计量斗内并利用计量斗下方的称重单元进行称重，直至加料仓Ci输出的多晶硅块的质量首次达到第i上限值Si后关闭其仓门，并在打开后一加料仓的仓门前关闭前一加料仓的仓门，以使得各个加料仓逐个出料。相应地，提供一种多晶硅的称重装置。本发明能够实现完全自动化的高精度定量称重。

公开(公告)号：CN109019682B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810947672.1

申请日：2018-08-20

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆晶硕新材料有限公司

发明人： 武珠峰 ,  银波 ,  范协诚 ,  黄彬 ,  张伟 ,  刘兴平

IPC分类号： C01G25/00

摘要： 本发明公开了一种氧氯化锆及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)将由氯化法制备的粗四氯化锆在氢气气氛下加热，粗四氯化锆中的氯化铁与氢气反应生成氯化亚铁；2)在第一预设温度下加热，使得粗四氯化锆中低于四氯化锆的沸点的杂质气化；3)在第二预设温度下加热，使得粗四氯化锆中的四氯化锆升华，将升华的四氯化锆水解，生成氧氯化锆。本发明中的氧氯化锆的制备方法，可以有效的去除杂质，将粗四氯化锆中的氯化铁还原成氯化亚铁，可以防止四氯化锆升华时混入氯化铁杂质，进而生产出高纯度的氧氯化锆产品，氧氯化锆的纯度不低于95mas％。

公开(公告)号：CN106915747B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510997567.5

申请日：2015-12-28

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 吴昌勇 ,  银波 ,  黄彬 ,  高建强 ,  武珠峰

IPC分类号： C01B33/107

摘要： 本发明公开了一种三氯氢硅合成方法及装置，该方法将粒径范围为200～400目的硅粉与氯化氢反应合成三氯氢硅，本发明中的三氯氢硅合成方法使用粒径范围为200～400目的硅粉制备三氯氢硅，该硅粉为宽粒径范围的硅粉，生产成本低，生产的难度系数降低，由于宽粒径的硅粉的流化气速较低，制备三氯氢硅时可降低通入的相应的氯化氢的通入的物质的量，降低尾气回收的难度与成本，相对于现有技术中生产三氯氢硅使用的硅粉而言，本发明中的粒径范围为200～400目的硅粉的比表面积大，从而可以提高气固接触面积，反应的强度提高，进而提高本发明中的三氯氢硅合成方法和三氯氢硅合成装置的产能。

公开(公告)号：CN109019684A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811173417.2

申请日：2018-10-09

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆晶硕新材料有限公司

发明人： 武珠峰 ,  银波 ,  范协诚 ,  黄彬 ,  张伟 ,  刘兴平

IPC分类号： C01G25/04 ,  C01G25/00 ,  C01B33/107 ,  C01B33/12 ,  C01B7/03 ,  C01B11/06 ,  C01D3/04 ,  C01B32/40

CPC分类号： C01G25/04 ,  C01B7/035 ,  C01B11/062 ,  C01B32/40 ,  C01B33/10721 ,  C01B33/10778 ,  C01B33/12 ,  C01D3/04 ,  C01G25/00 ,  C01P2006/80

摘要： 本发明公开了一种四氯化锆合成气的分离方法，四氯化锆合成气由氯化法制备四氯化锆得到，包括以下步骤：1)将四氯化锆合成气降温至150～180℃，析出第一粗四氯化锆，得到第一合成气；2)将第一合成气降温至80～120℃，析出第二粗四氯化锆，得到第二合成气。本发明中的四氯化锆合成气的分离方法及装置，该方法通过分步降温分别冷却析出第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆，第一粗四氯化锆、第二粗四氯化锆均可作为粗产品使用，降温析出第一粗四氯化锆所用的温度更低，且析出了四氯化锆合成气中的大部分四氯化锆，大大节约了冷量，降低了四氯化锆合成气的分离成本。

公开(公告)号：CN108793246A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810916610.4

申请日：2018-08-13

申请人： 新特能源股份有限公司 ,  新疆晶硕新材料有限公司

发明人： 武珠峰 ,  范协诚 ,  银波 ,  黄彬 ,  刘兴平 ,  孙永仕 ,  何隆

IPC分类号： C01G25/04

CPC分类号： C01G25/04

摘要： 本发明公开了一种改进的四氯化锆的制备方法及四氯化锆，该方法包括以下步骤：1)锆英砂中含有金属氧化物杂质，除去锆英砂中的金属氧化物杂质，得到提纯的锆英砂；2)将提纯的锆英砂与碳质还原剂、氯气加热，反应生成四氯化锆、四氯化硅、一氧化碳、二氧化碳。分离出四氯化锆。本发明中的制备方法，先将锆英砂中的金属氧化物杂质除掉，然后再与碳质还原剂、氯气反应，大大降低了得到的四氯化锆产品中金属杂质的氯化物的含量，避免了金属杂质的氯化物混入到生成的四氯化锆产品中，从而提高了四氯化锆产品纯度，省去了除去金属杂质的氯化物的步骤，降低了后端分离系统进行分离提纯的难度，提高了四氯化锆产品纯度和品质，且提高了后端产品的品质。

公开(公告)号：CN107285287A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610205705.6

申请日：2016-04-05

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 张吉武 ,  黄彬 ,  潘小龙 ,  刘兴平 ,  宋娟娟

IPC分类号： C01B21/068

摘要： 本发明公开了一种β相氮化硅的生产方法及β相氮化硅，该方法包括以下步骤：将原料硅和氮气通入到至少两级串联的流化床装置内进行反应，反应温度为1281～1600℃，得到β相氮化硅。本发明中将原料硅和氮气通入到至少两级串联的流化床装置内在1281～1600℃下反应，通过多级串联的流化床装置从而延长了原料硅和氮气在其内的停留时间，从而提高了原料硅和氮气的接触时间，有利于延长反应时间提高反应效率，进一步提高了生成的β相氮化硅的产率。本发明的制备方法简单、性能可控，且生产周期短，极大地降低了生产成本，适合大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN105293501B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201410256884.7

申请日：2014-06-10

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 潘小龙 ,  银波 ,  孙运德 ,  黄彬 ,  呼维军

IPC分类号： C01B33/03

摘要： 本发明提供一种多晶硅生产系统及方法，根据预设的第一尾气与物料流量比例控制输送至还原炉的反应尾气的流量，并检测反应尾气中二氯二氢硅的组分、输送至还原炉的反应尾气的流量以及进入还原炉的氢气和三氯氢硅的混合气的流量，当尾气控制周期到达时，计算当前反应尾气与物料混合后的气体的二氯二氢硅的含量，并根据所述二氯二氢硅的含量、预设的第一含量和第二含量，控制输送至还原炉的反应尾气的流量，能够有效控制进入还原炉的反应尾气中的二氯二氢硅的含量，减少无定型硅的生成，提高多晶硅产品品质，延长下游工序设备的使用寿命。

公开(公告)号：CN106433223A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510486054.8

申请日：2015-08-10

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 胡光健 ,  陈朝霞 ,  张伟 ,  黄彬 ,  相文强

IPC分类号： C09C1/28 ,  C09C3/12 ,  C09C3/08

摘要： 本发明公开了一种气相二氧化硅表面改性的方法，包括以下步骤：(1)将气相二氧化硅在200～300℃下进行预处理10～30分钟，提高气相二氧化硅的表面羟基的活性；(2)将气相二氧化硅与表面处理剂在350～450℃下，反应5～60分钟，得到经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅。通过本发明中的方法对气相二氧化硅进行了有效的改性，经过表面处理剂处理过的气相二氧化硅的羟基值大大降低，气相二氧化硅经过表面处理后，其表面的部分羟基被有机基团取代。本发明中的方法，对气相二氧化硅的表面处理程度更高，改性后的气相二氧化硅表面羟基含量在0.5个/nm2以下，能够应用于中极性到强极性体系，起到增稠触变、改善流变性的作用。

公开(公告)号：CN103342362A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310292142.5

申请日：2013-07-12

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 范协诚 ,  黄彬 ,  陈喜清 ,  潘小龙 ,  银波

IPC分类号： C01B33/035

摘要： 本发明涉及多晶硅化学气相沉积(CVD)反应器的节能装置领域，目前性能最好的一体式石英隔热罩，尺寸不易做大，耐压能力差，易碎，产生的热辐射仍然较大，本发明提供的技术方案为隔热罩由两个或多个石英玻璃部件拼接而成，反应器隔热罩总体由所述拼接件的一层或多层套装叠加而成，通过固定件固定在反应器内壁上，在最靠近硅棒的一层石英玻璃上涂覆有背反射膜，本发明显著地降低了热损耗，同时具有硅棒热应力低，硅棒熔芯和棒裂的概率低，温度场均匀，有利于获得大直径硅棒，生产量高，设备易于制造，操作方便，维修容易等有益效果。

公开(公告)号：CN109422251A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710724683.9

申请日：2017-08-22

申请人： 新特能源股份有限公司

发明人： 武珠峰 ,  刘兴平 ,  孙永仕 ,  范协诚 ,  黄彬 ,  银波 ,  朱秀萍

IPC分类号： C01B21/068 ,  C01B33/02

摘要： 本发明公开了一种用于流化反应的硅粉及其制备方法、氮化硅及其生产方法，本发明中的硅粉的内部具有孔洞，大大提高了硅粉的比表面积和孔隙率，硅粉与氮气进行流化反应时，氮气进入到硅粉的内部的孔洞形成的通道中充分接触与硅粉接触，不仅仅大大提高了气、固相界面积，而且提高了氮气在硅粉的内部的孔洞形成的通道中的流通速度，从而提高了流化反应的速度，使得不仅仅在硅粉的表面会生成氮化硅，而且在硅粉的内部也会生成氮化硅，且大大提高了硅粉的转化率。使用内部具有孔洞的硅粉进行流化反应，可以使用大颗粒的硅粉形成流化态，且不会阻止硅粉与氮气的进一步反应，且大大减少了氮化反应的阻力。