一种蒸汽除雾装置及多晶硅生产尾气处理设备

    公开(公告)号:CN220513805U

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202322004649.8

    申请日:2023-07-27

    IPC分类号: B01D53/26 B01D53/00 B01D46/42

    摘要: 本实用新型公开了一种蒸汽除雾装置,包括箱体和限流孔板,所述箱体的底部设有蒸汽入口管道,顶部设有放空管道,并与大气连通,所述限流孔板上开设有均布的通孔,限流孔板安装在箱体的内部,位于蒸汽入口管道和放空管道之间,以使经过蒸汽入口管道进入箱体的蒸汽流经限流孔板后再经过放空管道排放至大气,所述箱体的底部还设有储水凹槽和冷凝液排水管道,以使箱体内蒸汽中的水累积于所述储水凹槽中并经由冷凝液排水管道排出。本实用新型的蒸汽除雾装置能够有效减少水蒸气排放,降低资源浪费,消除遮挡视线导致的安全隐患。本实用新型还提供一种多晶硅生产尾气处理设备。

    用于氯硅烷除杂吸附剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN118908212A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411161138.X

    申请日:2024-08-21

    IPC分类号: C01B32/354 C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种用于氯硅烷除杂吸附剂及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将表面活性剂溶于有机溶剂和水中,得到第一溶液;2)将硅源和共结构导向剂溶于水中,得到第二溶液,其中,共结构导向剂结构式为RSiX3,X为水解性官能团,R为有机官能团;3)将第二溶液加入到第一溶液中,得到第三溶液;4)将第三溶液通过水热反应进行晶化处理,生成介孔结构的有机官能团改性的二氧化硅,得到吸附剂。相较于常用的后处理方法,本发明采用内源法引入与杂质有强化学亲和力的功能基团,通过在硅源前体中加入共结构导向剂,与表面活性剂模板发生共组装,在不影响孔道结构性质的前提下,能够引入更多的有机官能团且其均匀分布在材料表面。

    吸附剂的再生处理方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117205905A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311270539.4

    申请日:2023-09-28

    IPC分类号: B01J20/34

    摘要: 本发明公开了一种吸附剂的再生处理方法,包括:将待再生的吸附剂置于第一温度下在第一氛围环境中进行处理;将在第一温度下处理的吸附剂置于第二温度下在第二氛围环境中进行处理;将在第二温度下处理的吸附剂置于第三温度下在第三氛围环境中进行处理;第一温度为70‑180℃,第二温度为220‑400℃,第三温度为150‑200℃;第一氛围环境包括氮气环境或真空环境,第二氛围环境包括氮气环境或真空环境,第三氛围环境包括氧化性气氛。通过上述方法再生的吸附剂可以吸附三氯氢硅中的B、P、金属杂质,再生吸附剂的吸附效果好,吸附效率高,可以循环利用,降低成本。