一种三氯氢硅的合成方法及设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117303374A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311298206.2

    申请日:2023-10-07

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明实施例提供一种三氯氢硅的合成方法及设备,所述方法包括:将第一粒径范围的硅粉加入至流化床反应器的第一进料口,将第二粒径范围的硅粉加入至流化床反应器的第二进料口,第一粒径范围中的粒径大于第二粒径范围中的粒径,第一进料口至流化床反应器底部的距离大于第二进料口至流化床反应器底部的距离;将反应气自流化床反应器底部通入流化床反应器与硅粉进行反应,生成三氯氢硅。将不同粒径范围的硅粉加入至流化床反应器对应粒径范围的进料口,使得自第一进料口加入的第一粒径范围的硅粉可以对自第二进料口加入的第二粒径范围的硅粉进行阻挡,减少了随反应气流失的硅粉的数量,增加了硅粉的反应时间,提升了硅粉的利用率。

    分离多晶硅还原尾气中氢气的系统和方法

    公开(公告)号:CN118978126A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411184511.3

    申请日:2024-08-26

    IPC分类号: C01B3/56 C01B3/50

    摘要: 本发明公开了一种分离多晶硅还原尾气中氢气的系统和方法,该系统包括:换热器,多晶硅还原尾气经过降温后形成的气液混合物通入到换热器物料腔内降温;重力分离器,其入口与换热器物料腔出口连接,其第一出口用于排出第一气相物料,其第二出口用于排出第一液相物料;氯化氢分离膜组件,其入口与重力分离器第一出口连接,用于将第一气相物料中的包含氯化氢的第二气相物料与其余第三气相物料分离开;氢气分离膜组件,其入口与氯化氢分离膜组件第一出口连接,用于将第三气相物料中的高纯氢气与第三杂质分离开。本发明原料处理效率高、产品质量优、设备自动化率高、操作方便、运行能耗低、环境友好、可再生性好、重力分离器与双膜组件匹配度高。

    用于氯硅烷除杂吸附剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN118908212A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411161138.X

    申请日:2024-08-21

    IPC分类号: C01B32/354 C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种用于氯硅烷除杂吸附剂及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将表面活性剂溶于有机溶剂和水中,得到第一溶液;2)将硅源和共结构导向剂溶于水中,得到第二溶液,其中,共结构导向剂结构式为RSiX3,X为水解性官能团,R为有机官能团;3)将第二溶液加入到第一溶液中,得到第三溶液;4)将第三溶液通过水热反应进行晶化处理,生成介孔结构的有机官能团改性的二氧化硅,得到吸附剂。相较于常用的后处理方法,本发明采用内源法引入与杂质有强化学亲和力的功能基团,通过在硅源前体中加入共结构导向剂,与表面活性剂模板发生共组装,在不影响孔道结构性质的前提下,能够引入更多的有机官能团且其均匀分布在材料表面。