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公开(公告)号：CN115138225B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210769740.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种混气系统及制备白炭黑的方法，所述混气系统包括：输气管道、混合腔体和稳流管道；其中，所述输气管道包括主管道和多条运输管道，多条所述运输管道与所述主管道的一端相连通；所述混合腔体包括一个空腔和设置在所述空腔内部的拉瓦尔管；所述主管道的另一端与所述混合腔体的侧壁连接，且与所述空腔连通；所述稳流管道的上端与所述拉瓦尔管相连通。相较于静态混合器，混合腔体结构简单，利用高速旋流和拉瓦尔管的方式，提高了气体混合均匀性，且管道压降更低，提高了能量利用效率。此外，所述混气系统的结构避免或减弱了管壁黏附高沸物、硅粉等杂质现象，提高生产安全性，延长了安全生产周期。
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公开(公告)号：CN117023595A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310955465.1
申请日：2023-08-01
Applicant: 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明公开了一种高纯二氧化硅的制备方法，包括：将二氧化硅颗粒在第一温度下进行处理；将第一温度下处理的二氧化硅颗粒在第二温度下进行处理；将第二温度下处理的二氧化硅颗粒在第三温度下进行处理；将第三温度下处理的二氧化硅进行冷却，得到高纯二氧化硅；第一温度为80℃‑600℃，第二温度为600℃‑1050℃，第三温度为1050℃‑1350℃，第一温度小于第二温度，第二温度小于第三温度。在本发明实施例的高纯二氧化硅的制备方法中，通过将二氧化硅颗粒在不同温度下进行处理，可以降低二氧化硅中羟基、碳含量、氯含量，提高二氧化硅的纯度。
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公开(公告)号：CN115138225A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210769740.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种混气系统及制备白炭黑的方法，所述混气系统包括：输气管道、混合腔体和稳流管道；其中，所述输气管道包括主管道和多条运输管道，多条所述运输管道与所述主管道的一端相连通；所述混合腔体包括一个空腔和设置在所述空腔内部的拉瓦尔管；所述主管道的另一端与所述混合腔体的侧壁连接，且与所述空腔连通；所述稳流管道的上端与所述拉瓦尔管相连通。相较于静态混合器，混合腔体结构简单，利用高速旋流和拉瓦尔管的方式，提高了气体混合均匀性，且管道压降更低，提高了能量利用效率。此外，所述混气系统的结构避免或减弱了管壁黏附高沸物、硅粉等杂质现象，提高生产安全性，延长了安全生产周期。
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公开(公告)号：CN116553561A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310444460.2
申请日：2023-04-23
Applicant: 新特能源股份有限公司 , 新疆晶硕新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅的制备方法及制备系统，该方法包括以下步骤：1)将含有氯硅烷的气体与水溶液混合，氯硅烷发生水解反应，得到混合物；2)将混合物过滤，得到滤液，对滤液进行造粒，加热，得到二氧化硅。本发明中的二氧化硅的制备方法及其所使用的制备系统，有效降低高纯二氧化硅中氯含量，同时能够回收部分多晶硅生产过程中产生的氯硅烷，降低废气中氯硅烷含量，降低后续再处理的难度，同时该方案在工业化放大的方面具有便利性。
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公开(公告)号：CN115532142A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110655563.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 新疆晶硕新材料有限公司 , 新特能源股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种气体混合装置，包括主管线、第一进气管线、第二进气管线，所述主管线的入口端用于通入第一气体；所述第一进气管线与所述主管线相连通，用于通入第二气体且第一进气管线的出口上设有第一多孔管分流器，以使第二气体均匀分散到主管线中；所述第三进气管线与所述主管线相连通，用于通入第三气体，且第二进气管线的出口上设有第二多孔管分流器，以使第三气体均匀分散到主管线中。本发明还公开一种气相法白炭黑的生产系统。本发明装置可以使气体均匀混合，本发明生产系统可以提高原料气混合均匀性，从而使火焰燃烧稳定，使高温水解反应稳定、充分，进而确保提升气相法白炭黑产品质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116514163A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210070867.9
申请日：2022-01-21
Applicant: 新疆晶硕新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧氯化锆的生产工艺及氧氯化锆，该工艺包括以下步骤：1)以四氯化锆为原料，配制第一氧氯化锆溶液；2)以高纯氧氯化锆为原料，配制第二氧氯化锆溶液；3)将第一氧氯化锆溶液、第二氧氯化锆溶液同时开始自然降温，待第二氧氯化锆溶液开始结晶后，将预设质量的第二氧氯化锆溶液加入到第一氧氯化锆溶液中，得到混合溶液；4)将混合溶液自然降温，待结晶后，得到氧氯化锆晶体。本发明的工艺以氧氯化锆溶液为起点，控制结晶过程，降低氧氯化锆中杂质含量，提高氧氯化锆品质。本发明氧氯化锆在结晶过程中控制结晶过程，得到更高纯度的晶体，降低结晶次数，进而达到提高氧氯化锆产品品质，间接降低企业生产成本。
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公开(公告)号：CN115477304A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211185106.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，其中，所述调控方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，提高还原炉当前的硅粉沉积速率。
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公开(公告)号：CN113375058B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202110661123.X
申请日：2021-06-15
Applicant: 新疆硅基新材料创新中心有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC: F17D1/04 , F17D3/01 , F17D5/00 , C01B33/035
Abstract: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉，尾气排放结构包括：多个尾气支管；每个尾气支管的第一端与汇合管连通，多个尾气支管的第一端沿汇合管的周向间隔设置；汇集管的第一端与汇合管连通；汇集管的第二端与尾气母管的一端连通。尾气排放结构可应用在还原炉中，尾气支管的第二端可以与还原炉的底部的排气孔连通，还原炉中的尾气通过排气孔进入尾气支管中，尾气支管中的气体进入汇合管中后在汇合管中可以进行平衡，使得汇合管中的气体的压力流量更均匀稳定，汇合管中均匀稳定的气体稳定地流入汇集管，经过汇集管后从尾气母管排出，使得尾气的排出更均匀稳定，使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定，提高多晶硅的生产质量。
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公开(公告)号：CN113213484B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202110661114.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 新疆硅基新材料创新中心有限公司 , 新特能源股份有限公司
IPC: C01B33/035 , F27D17/00 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉，尾气排放结构包括：连接体，连接体上设有环形孔，环形孔具有第一开口与第二开口；多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通；多个尾气支管的第二端与汇集管连通；尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉，连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通，还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔，通过环形孔对尾气进行平衡，环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管，不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡，然后汇集管中的气体通过尾气母管排出，连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用，降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次，使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。
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公开(公告)号：CN115477304B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211185106.4
申请日：2022-09-27
Applicant: 新特能源股份有限公司 , 新特硅基新材料有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，其中，所述调控方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，提高还原炉当前的硅粉沉积速率。
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