SiO生产装置及生产方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115367762B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211165080.7

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种SiO生产装置及生产方法,包括:反应室,包括:反应室本体、压力检测机构、温度检测机构、第一称重机构、第一加热机构,反应室本体用于加入Si和SiO2发生升华反应生成SiO,反应室本体与第一吹扫气管道、废气管连接;连接通道,与反应室连接;沉积室,包括:沉积室本体、设置于沉积室本体内的沉积内件,沉积室本体与连接通道连接,沉积室本体与尾气管连接;气体分布器,与连接通道连接,气体分布器包括内层套筒、套置于内层套筒外的外层套筒,内层套筒与连接通道出口联通,外层套筒与第二吹扫气管道连接。通过自动控制,固化生产方法,稳定产品质量,从而提高产能,降低成本,提高产品质量,产品质量均一性好。

    SiO生产装置及生产方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115367762A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211165080.7

    申请日:2022-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种SiO生产装置及生产方法,包括:反应室,包括:反应室本体、压力检测机构、温度检测机构、第一称重机构、第一加热机构,反应室本体用于加入Si和SiO2发生升华反应生成SiO,反应室本体与第一吹扫气管道、废气管连接;连接通道,与反应室连接;沉积室,包括:沉积室本体、设置于沉积室本体内的沉积内件,沉积室本体与连接通道连接,沉积室本体与尾气管连接;气体分布器,与连接通道连接,气体分布器包括内层套筒、套置于内层套筒外的外层套筒,内层套筒与连接通道出口联通,外层套筒与第二吹扫气管道连接。通过自动控制,固化生产方法,稳定产品质量,从而提高产能,降低成本,提高产品质量,产品质量均一性好。

    二氧化硅的制备方法及制备系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116553561A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310444460.2

    申请日:2023-04-23

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅的制备方法及制备系统,该方法包括以下步骤:1)将含有氯硅烷的气体与水溶液混合,氯硅烷发生水解反应,得到混合物;2)将混合物过滤,得到滤液,对滤液进行造粒,加热,得到二氧化硅。本发明中的二氧化硅的制备方法及其所使用的制备系统,有效降低高纯二氧化硅中氯含量,同时能够回收部分多晶硅生产过程中产生的氯硅烷,降低废气中氯硅烷含量,降低后续再处理的难度,同时该方案在工业化放大的方面具有便利性。

    一种硅粉智能下料系统
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218590475U

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202222979769.5

    申请日:2022-11-09

    Abstract: 本实用新型提供一种硅粉智能下料系统,所述硅粉智能下料系统包括由上至下依次连通的加料仓、锁气罐、喷吹罐和旋转给料部,所述硅粉智能下料系统还包括反应器、三通阀、第一喷吹泵和DCS控制器;加料仓和锁气罐之间设有第一计重器,锁气罐和喷吹罐之间设有第二计重器;DCS控制器通过第一计重器控制连接锁气罐的阀门,还通过第二计重器控制连接喷吹罐的阀门和第一喷吹泵;第一喷吹泵连通喷吹罐;旋转给料部用于旋转下料;三通阀的入口连通喷吹罐、其第一出口连通旋转给料部,三通阀的第二出口和旋转给料部连通反应器。本实用新型的一种硅粉智能下料系统实现的效果为:实现闭环精准自动控制,及时清理下料管道,设有备用的运行方案。

    一种多晶硅还原炉的评价方法及装置

    公开(公告)号:CN118966051A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410973800.5

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅还原炉的评价方法及装置,该方法包括:根据多晶硅还原炉的几何模型,进行流场试验仿真模拟,得到待评价的流场数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到流场评价结果;在几何模型的基础上耦合电热模型,并进行能耗试验仿真模拟,得到待评价的能耗数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到能耗评价结果;根据控电方式进行控电试验仿真模拟,得到待评价的控电方式数据;与预设的评价指标体系进行比较,得到控电方式评价结果;根据流场评价结果、能耗评价结果以及控电方式评价结果,确定多晶硅还原炉是否设计合理。本发明能够对多晶硅还原炉进行合理有效的评价,达到提高产能和运行稳定性,降低成本,提高产品质量的目的。

    一种铜硅系催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114011451B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202111445314.9

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明提供一种铜硅系催化剂及其制备方法,所述铜硅系催化剂中包括:载体和活性组分;其中,所述活性组分为硅‑铜系多元合金,所述硅‑铜系多元合金中包括Cu元素和Si元素,还包括M元素,所述M元素指Cr、Ni、Mo、Ti、Zr、Ce、La、Sc中的至少一种。本发明中的铜硅系催化剂的活性组分晶粒细小,有效增加界面缺陷活性中心和硅‑铜相界面。所述催化剂应用于冷氢化反应过程中,四氯化硅直接与催化剂中的活性组分硅‑铜相发生反应,使得催化反应时间大幅缩短,因而可以有效的提高催化反应速率及转化率。

Patent Agency Ranking