公开(公告)号：CN101236746A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710006206.5

申请日：2007-01-30

申请人： 新科实业有限公司

发明人： 马洪涛 ,  陈宝华 ,  乔晓峰 ,  方宏新 ,  何巍巍

IPC分类号： G11B5/133 ,  G11B5/147

CPC分类号： G11B5/3166 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909

摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。

公开(公告)号：CN101236746B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200710006206.5

申请日：2007-01-30

申请人： 新科实业有限公司

发明人： 马洪涛 ,  陈宝华 ,  乔晓峰 ,  方宏新 ,  何巍巍

IPC分类号： G11B5/133 ,  G11B5/147

CPC分类号： G11B5/3166 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909

摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。