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公开(公告)号：CN101231966A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710007349.8
申请日：2007-01-23
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/00 , C23F4/00
摘要： 本发明公开了一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括底盘；设置于所述底盘上的顶盖，该顶盖设有至少一个物料孔；位于所述底盘上且放置于所述顶盖的物料孔内的底板凸台；及安放于所述底板凸台上且放于所述物料孔内的晶圆夹具，该晶圆夹具承载将进行蚀刻的晶圆。所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产品气体，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。本发明还公开了一种控制晶圆局部蚀刻速率的方法，所述晶圆表面与所述物料孔的内壁之间形成几何台阶，通过改变几何台阶高度加快或减慢局部的蚀刻反应，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN101236746B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710006206.5
申请日：2007-01-30
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3166 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909
摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。
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公开(公告)号：CN1925001A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510096994.2
申请日：2005-08-31
申请人： 新科实业有限公司
摘要： 一种在磁性读/写磁头的空气支承面(ABS)上形成微纹的方法，包括下列步骤：(a)将复数磁头阵列排列在托盘中，每个磁头包括一个朝上的极尖(pole tip)；(b)把所述托盘装入处理室中，并将所述处理室抽成具有预定压力的真空；(c)将含氧处理气体导入所述处理室中；(d)将所述磁头暴露于所述处理气体中的蚀刻手段(etchingmeans)中并对其表面进行蚀刻而在其上形成明显的两阶结构。本发明也揭露了通过上述方法形成的磁性读/写磁头的结构。
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公开(公告)号：CN1925001B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200510096994.2
申请日：2005-08-31
申请人： 新科实业有限公司
摘要： 一种在磁性读/写磁头的空气支承面(ABS)上形成微纹的方法，包括下列步骤：(a)将复数磁头阵列排列在托盘中，每个磁头包括一个朝上的极尖(pole tip)；(b)把所述托盘装入处理室中，并将所述处理室抽成具有预定压力的真空；(c)将含氧处理气体导入所述处理室中；(d)将所述磁头暴露于所述处理气体中的蚀刻手段(etchingmeans)中并对其表面进行蚀刻而在其上形成明显的两阶结构。本发明也揭露了通过上述方法形成的磁性读/写磁头的结构。
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公开(公告)号：CN101236746A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006206.5
申请日：2007-01-30
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3166 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909
摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。
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