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公开(公告)号：CN100341047C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03159543.X
申请日：2003-09-17
申请人： 新科实业有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：(1)固持至少一个物体在真空室中；(2)沉积一种成膜材料在所述物体上；(3)在沉积成膜材料的同时蚀刻所述成膜材料；在本发明中，所述沉积与蚀刻过程是同时进行的。所述沉积过程是通过置备一个成膜靶材而进行的。所述蚀刻过程包括如下步骤：在所述真空室中置备具有特定压力的惰性或活性气体；离子化所述气体产生蚀刻离子束轰击所述物体。本发明同时公开了一种实现上述方法的系统。
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公开(公告)号：CN101236746B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710006206.5
申请日：2007-01-30
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3166 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909
摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。
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公开(公告)号：CN101046968B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200610073327.7
申请日：2006-03-29
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3116 , G11B5/3173 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49052
摘要： 一种在磁头的空气承载面上形成微纹的方法，包括如下步骤：将多个磁头阵列排列在托盘中，每个磁头包括一个向上的极尖；把托盘装入处理室中，并在处理室内形成具有预定压力的真空；将惰性气体与碳氢化合物气体的混合气体导入处理室中，并将混合气体离子化而形成离子束；将磁头暴露于离子束中，通过离子束蚀刻而在磁头空气承载面上蚀刻出具有两阶结构的微纹。本发明同时揭露了一种具有微纹的磁头的制造方法。
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公开(公告)号：CN101046968A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610073327.7
申请日：2006-03-29
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3116 , G11B5/3173 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49052
摘要： 一种在磁头的空气承载面上形成微纹的方法，包括如下步骤：将多个磁头阵列排列在托盘中，每个磁头包括一个向上的极尖；把托盘装入处理室中，并在处理室内形成具有预定压力的真空；将惰性气体与碳氢化合物气体的混合气体导入处理室中，并将混合气体离子化而形成离子束；将磁头暴露于离子束中，通过离子束蚀刻而在磁头空气承载面上蚀刻出具有两阶结构的微纹。本发明同时揭露了一种具有微纹的磁头的制造方法。
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公开(公告)号：CN101236746A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710006206.5
申请日：2007-01-30
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3166 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909
摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。
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公开(公告)号：CN101075437B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200610081900.9
申请日：2006-05-16
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/39
摘要： 本发明公开了一种防止磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路，防止磁阻阻抗降低，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法，还公开了磁头的制造方法。
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公开(公告)号：CN101075437A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200610081900.9
申请日：2006-05-16
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： G11B5/39
摘要： 本发明公开了一种防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路，防止磁阻阻抗降低，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法，还公开了磁头的制造方法。
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