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公开(公告)号：CN101236746B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710006206.5
申请日：2007-01-30
申请人： 新科实业有限公司
CPC分类号： G11B5/3166 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3903 , G11B5/3909
摘要： 本发明公开了一种防止磁头体之隧道磁电阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由一组含有隧道磁电阻元件的磁头体构成的磁条定位于托盘上；将所述托盘装入处理室，并将处理室抽空为预定压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体，并将该处理气体离子化，从而形成第一蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第一蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面形成氧化层；将所述处理室排空，再向所述处理室引入氩气，并将该氩气离子化，从而形成第二蚀刻手段；将磁头体暴露于所述第二蚀刻手段中，蚀刻所述氧化层而使其厚度降低。本发明同时公开了一种磁头制造方法。
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公开(公告)号：CN1161530A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96121799.5
申请日：1996-11-30
申请人： 日本胜利株式会社
发明人： 柳生慎悟
CPC分类号： G11B5/40 , G11B5/3106 , G11B5/3163
摘要： 一种薄膜磁头10，包括：下磁心1b、磁隙2、线圈4、上磁心1a、保持性衬底6、第一无机绝缘膜3和衬底7。下磁心、磁隙、线圈和上磁心设在衬底7上。保持性衬底利用焊接玻璃5焊接到衬底上。衬底上还设有第二无机绝缘膜3b，使衬底夹在第一和第二无机绝缘膜之间，可防止衬底在加热焊接时翘起。
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公开(公告)号：CN1119475A
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：CN94191479.8
申请日：1994-03-11
申请人： 达斯设备公司
发明人： 塞亚姆·C·达斯
CPC分类号： G11B5/3173 , G11B5/105 , G11B5/127 , G11B5/1274 , G11B5/1475 , G11B5/17 , G11B5/1871 , G11B5/21 , G11B5/39 , G11B5/3967
摘要： 一种MIG和薄膜混合读写头使用较少的磁性材料从而降低了磁感应。混合头对探头高度公差较不敏感并对间隙和磁道之类的几何参数更好控制。混合头由各个磁心(210)、软磁层(201)、非磁性层(202)以及C形切口(204)组成。混合头由经过简化的较高成品率的工艺批量地制造。
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公开(公告)号：CN101136207B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710005836.0
申请日：2007-02-25
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11B5/314 , G11B2005/0021 , Y10T29/49812 , Y10T428/12361
摘要： 本发明涉及具有孔洞的金属层及其形成方法、包括该具有孔洞的金属层的光传送模块、以及包括该模块的热辅助磁记录头。该金属层的孔洞具有不同大小的入口和出口，且还具有弯曲的侧表面。另外，该光传送模块在其输出端包括该金属层，且该热辅助磁记录头包括作为光学加热单元的该光传送模块。
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公开(公告)号：CN100550134C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710005346.0
申请日：2007-02-14
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3903 , G11B5/3163 , G11B5/398
摘要： 减小在传感器高度方向上的磁阻薄膜的结边缘处的刻蚀损坏的影响，此外降低上磁屏蔽层和下磁屏蔽层之间的介电击穿电压的损坏和源于屏蔽过程的再生性能的不稳定性，以及将CPP磁阻磁头中的静电容保持为小的值。在本发明的磁阻磁头中，钉扎层13的底表面的传感器高度方向上的长度长于第一铁磁层14的底表面的传感器高度方向上的长度，由钉扎层13的传感器高度方向上的边缘相对于从磁阻膜的底表面延伸的表面形成的角度小于由第二铁磁层16的传感器高度方向中的边缘相对于从磁阻膜的底表面延伸的表面形成的角度，以及传感器高度方向回填膜18的顶表面的高度等于或高于磁阻膜的顶表面。
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公开(公告)号：CN101038747A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710005346.0
申请日：2007-02-14
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3903 , G11B5/3163 , G11B5/398
摘要： 减小在传感器高度方向上的磁阻薄膜的结边缘处的刻蚀损坏的影响，此外降低上磁屏蔽层和下磁屏蔽层之间的介电击穿电压的损坏和源于屏蔽过程的再生性能的不稳定性，以及将CPP磁阻磁头中的静电容保持为小的值。在本发明的磁阻磁头中，钉扎层13的底表面的传感器高度方向上的长度长于第一铁磁层14的底表面的传感器高度方向上的长度，由钉扎层13的传感器高度方向上的边缘相对于从磁阻膜的底表面延伸的表面形成的角度小于由第二铁磁层16的传感器高度方向中的边缘相对于从磁阻膜的底表面延伸的表面形成的角度，以及传感器高度方向回填膜18的顶表面的高度等于或高于磁阻膜的顶表面。
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公开(公告)号：CN1273957C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02820684.3
申请日：2002-02-20
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/012 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/3153 , G11B5/3156 , G11B2005/0029
摘要： 一种包括一多层主写极(30)的垂直磁记录头(22)。该主写极(30)包括第一材料层(46)、第二材料层(48)和位于第一材料层(46)与第二材料层(48)之间的夹层(50)。第二材料层(48)具有的饱和磁矩大于第一材料层(46)的饱和磁矩。
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公开(公告)号：CN1378684A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN00814080.4
申请日：2000-10-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B5/537 , G11B5/0086 , G11B5/105 , G11B5/133 , G11B5/147 , G11B5/1475 , G11B5/255 , G11B5/53 , G11B15/61 , G11B15/62
摘要： 提供一种磁头磨损小、静止持久时间长的磁头和备有使用该磁头的高速旋转磁鼓装置的磁记录再现装置。因此,在磁头中,将由一对衬底1和3、5和7夹持软磁金属材料构成的至少一个磁性膜2,6构成的磁芯半体4,8配置为由该磁芯半体的各个磁性膜应构成磁路的磁芯半体的端面之间相互对向来形成磁隙9,衬底的与磁带的滑动面的至少一部分由非磁性单晶铁氧体材料构成,该非磁性单晶铁氧体材料在上述滑动面的结晶面方位大致为{110},并且 ;方向与磁头相对磁带的滑动方向大致平行。
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