公开(公告)号：CN103094324A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110349631.0

申请日：2011-11-08

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 刘少鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该沟槽型IGBT包括集电极层、漂移层、发射极层、沟槽、以及形成于沟槽的栅介质层和栅电极，该沟槽中的栅电极的上表面被回刻蚀至低于所述基极层的上表面、以使所述发射极层可操作地被倾角式离子注入形成。因此，该制备方法中包括栅电极的回刻蚀步骤以及以所述栅电极为掩膜倾角式离子注入形成发射极层的步骤。采用该方法制备形成的沟槽型IGBT的导通电阻小，并能兼顾减低其芯片面积。

公开(公告)号：CN103094324B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110349631.0

申请日：2011-11-08

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 刘少鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该沟槽型IGBT包括集电极层、漂移层、发射极层、沟槽、以及形成于沟槽的栅介质层和栅电极，该沟槽中的栅电极的上表面被回刻蚀至低于所述基极层的上表面、以使所述发射极层可操作地被倾角式离子注入形成。因此，该制备方法中包括栅电极的回刻蚀步骤以及以所述栅电极为掩膜倾角式离子注入形成发射极层的步骤。采用该方法制备形成的沟槽型IGBT的导通电阻小，并能兼顾减低其芯片面积。