公开(公告)号：CN104600116B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410592595.4

申请日：2014-10-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·聪德尔 ,  K-H·巴赫 ,  A·伍德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815

摘要： 本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d1)，并且其中，该最大的值(d1)至少为高度(hM)的70％。

公开(公告)号：CN106611784A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610911950.9

申请日：2016-10-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 松浦仁

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/0804

摘要： 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括能够在独立于单元性能的情况下实现栅极电容的精细调节的沟槽栅极IGBT。在栅极布线引出区域中，多个沟槽在与Y方向正交的X方向上相互隔开地布置。在平面图中每个沟槽具有被矩形外轮廓和矩形内轮廓包围的形状。沟槽栅极电极设置在每个沟槽中，以便电耦合到引出电极。为了在集电极和发射极之间获得足够的击穿电压，将沟槽形成在p型浮置区域中。在平面图中n‑型漂移区域形成在位于沟槽内轮廓的内部的区域中，由此在n‑型漂移区域和沟槽栅极电极之间形成的电容可以被用作反向传输电容。

公开(公告)号：CN103094324B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201110349631.0

申请日：2011-11-08

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 刘少鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该沟槽型IGBT包括集电极层、漂移层、发射极层、沟槽、以及形成于沟槽的栅介质层和栅电极，该沟槽中的栅电极的上表面被回刻蚀至低于所述基极层的上表面、以使所述发射极层可操作地被倾角式离子注入形成。因此，该制备方法中包括栅电极的回刻蚀步骤以及以所述栅电极为掩膜倾角式离子注入形成发射极层的步骤。采用该方法制备形成的沟槽型IGBT的导通电阻小，并能兼顾减低其芯片面积。

公开(公告)号：CN105321809A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510343679.9

申请日：2015-06-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及降低杂质浓度的方法、半导体器件及制造其的方法。一种降低半导体本体中的杂质浓度的方法包括利用粒子通过半导体本体的第一侧照射半导体本体。所述方法还包括在介于450℃到1200℃之间的温度范围内的热处理期间通过外扩散从半导体本体的被照射部分移除杂质中的至少一部分。

公开(公告)号：CN104979398A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410513016.2

申请日：2014-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  R·巴布斯克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

摘要： 一种半导体器件包括绝缘栅极双极晶体管(IGBT)设置。IGBT设置包括侧向设置在单元区域与敏感区域之间的载流子限制减小区域。配置或形成IGBT设置以使得单元区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第一平均密度，载流子限制减小区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第二平均密度，以及敏感区域在IGBT设置的导通状态下具有自由电荷载流子的第三平均密度。自由电荷载流子的第一平均密度大于自由电荷载流子的第二平均密度，并且自由电荷载流子的第二平均密度大于自由电荷载流子的第三平均密度。

公开(公告)号：CN102770960B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180010752.0

申请日：2011-10-25

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66734 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

摘要： 一种MOSFET（1），配备有碳化硅衬底（10）、活性层（20）、栅氧化物膜（30）以及栅电极（40）。活性层（20）包括主体区（22），当对栅电极（40）施加电压时在接触栅氧化物膜（30）的区域形成反型层（29）。主体区具有：低浓度区（22B），其布置在形成有反型层（29）的区域并包含低浓度杂质；以及高浓度区（22A），其布置在形成有反型层（29）的区域、在反型层（29）中的载流子迁移方向上与低浓度区（22B）相邻，并包含浓度大于低浓度区（22B）的杂质。

公开(公告)号：CN104599971A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410588799.0

申请日：2014-10-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： P·布兰德尔 ,  M·H·佩里

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L27/088 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

摘要： 生产竖直半导体器件，包括：提供半导体晶片，其包括第一导电类型的第一半导体层、与第一半导体层形成第一pn结的第二导电类型的第二半导体层以及与第二半导体层形成第二pn结并且延伸到晶片的主表面的第一导电类型的第三半导体层；在主表面上形成硬掩模，该硬掩模包括通过第一开口彼此间隔开的硬掩模部分；使用硬掩模蚀刻从主表面到第一层中的深沟槽，使得在主表面处由相应硬掩模部分覆盖的台面区域被形成在毗邻沟槽之间；填充沟槽和硬掩模的第一开口；以及蚀刻硬掩模以在台面的主表面处的硬掩模中形成第二开口。

公开(公告)号：CN104465771A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410492575.X

申请日：2014-09-24

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： O.布兰克 ,  R.西米尼克

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明涉及具有场电极的晶体管器件。一种晶体管器件包含源区域、漂移区域和布置在该源区域与该漂移区域之间的基体区域。栅电极与该基体区域相邻并且通过栅电介质被电介质绝缘于该基体区域。场电极布置与漂移区域和基体区域相邻，在第一方向上与栅电极间隔开，并且包含场电极和场电极电介质，该第一方向与在其中源区域和漂移区域是间隔开的垂直方向正交。该场电极电介质将该场电极至少与该漂移区域电介质绝缘。该场电极布置具有与漂移区域相邻的第一宽度和与基体区域相邻的第二宽度并且该第一宽度大于该第二宽度。

公开(公告)号：CN104425578A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310374500.7

申请日：2013-08-23

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 张硕 ,  芮强 ,  王根毅 ,  邓小社

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7396 ,  H01L29/6634

摘要： 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管，其包括N型衬底，形成于N型衬底正面的正面结构和形成于N型衬底背面的背面结构。背面结构包括形成于N型衬底背面的沟槽、形成于沟槽之间的背面P+区、设置于沟槽内的多晶硅以及形成于背面P+区和多晶硅上的背面金属层。该反向导通绝缘栅双极型晶体管采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。制造该反向导通绝缘栅双极型晶体管时只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。

公开(公告)号：CN104425246A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310379443.1

申请日：2013-08-27

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 钟圣荣 ,  周东飞 ,  邓小社 ,  王根毅

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L21/761 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其衬底为N型，N型衬底背面设有P型区，P型区背面设有背面金属结构，终端结构内设有终端保护环，有源区的正面设有多晶硅栅，衬底上多晶硅栅的两侧设有侧墙，衬底上设有覆盖多晶硅栅和侧墙的层间介质，层间介质上覆盖有金属引线层，有源区的衬底内设有N型的载流子增强区，载流子增强区内设有P型体区，P型体区内设有N型重掺杂区，N型重掺杂区内设有P型重掺杂区，P型重掺杂区表面形成有向内凹陷浅坑，深度为0.15微米～0.3微米。本发明还公开了一种IGBT的制备方法。本发明通过设置载流子增强区，能够增加沟道的载流子浓度，降低导通压降。同时该浅坑能够使器件获得良好的杂质分布和更大的金属接触面积，提高了器件的性能。