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公开(公告)号：CN102832261A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110157018.9
申请日：2011-06-13
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司 , 尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/083 , H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池，特别涉及具有增强的减反射性能的薄膜太阳能电池及其制造方法。按照本发明的薄膜太阳能电池包括：衬底；形成于所述衬底上的透明导电层；形成于所述透明导电层上的减反射层；以及形成于所述减反射层上的硅薄膜有源层，其中所述减反射层由氧化铌NbxOy构成。按照本发明的薄膜太阳能电池的制造方法包括下列步骤：在衬底上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成减反射层；以及在所述减反射层上形成硅薄膜有源层，其中所述减反射层由氧化铌NbxOy构成。在本发明中，由于采用氧化铌NbxOy膜层替代TiO2-ZnO叠层作为减反射层，因此在实现良好的减反射效果的同时，还简化了制造工艺，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101958361A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910158977.5
申请日：2009-07-13
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司 , 尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/0468 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种透光薄膜太阳电池组件刻蚀方法，包括：将抗刻蚀液的油墨浆料印刷在置于网版下的薄膜太阳电池组件需要保护的区域，并将所述油墨浆料烘干固化；在所述薄膜太阳电池组件上涂覆刻蚀液；去掉所述油墨浆料。本发明的方法可以达到对透光区域精确定位，便于透光图案的多样选择，利于透光功能在大面积透光薄膜太阳电池组件上的实现，改善透光薄膜太阳电池组件容易短路的问题。
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公开(公告)号：CN101572281A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910146478.4
申请日：2009-06-08
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光伏电池制造领域，具体涉及一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法、通过该方法制备的衬底以及包括该衬底的硅薄膜太阳电池。通过本发明提供的制备衬底的方法，可以获得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，使硅薄膜太阳电池制造商摆脱绒面氧化锡玻璃供应商的限制，而进一步降低生产制造成本。可以将本发明提供的制备衬底的方法直接应用到硅薄膜太阳电池的生产制造中，并且通过该方法制备的衬底能够取代现有的昂贵的绒面氧化锡玻璃衬底，并表现出更加优异的性能。
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公开(公告)号：CN105322031A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510646643.8
申请日：2015-10-08
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L21/02123 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02274
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池混合多层膜结构，包括硅衬底，在硅衬底上设置SiNx膜层；其特征是：在所述SiNx膜层上设有氧化硅或氮氧化硅膜层。所述SiNx膜层包括依次设置在硅衬底上的高折射率SiNx膜层和低折射率SiNx膜层。所述SiNx膜层的折射率为2.0～2.3。所述高折射率SiNx膜层的折射率为2.1～2.3，低折射率SiNx膜层的折射率为2.0～2.1。所述氧化硅或氮氧化硅膜层的折射率为1.6～2.0。本发明提升电池片镀膜减反效果，增加光的吸收，提高电池片的短路电流，从而提高效率，并更好的与组件EVA和玻璃进行匹配。
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公开(公告)号：CN103806107A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210437481.3
申请日：2012-11-02
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
摘要： 本发明提供一种多晶硅片制绒方法及制绒液。现有技术中仅通过含有氧化剂和氢氟酸的多晶硅片制绒液对多晶硅片进行制绒导致绒面反射率较高，且易导致对缺陷密集区域过腐蚀从而造成强度降低和效率降低。本发明的多晶硅片制绒方法先腐蚀去除多晶硅片表面的损伤层，接着通过去离子水清洗所述多晶硅片，然后通过包括氧化剂、氢氟酸和蒙砂剂的多晶硅片制绒液对所述多晶硅片进行制绒，最后通过包括能够溶解蒙砂剂的成分的清洗液清洗所述多晶硅片。本发明可降低所制得的绒面的反射率，并避免制绒后多晶硅片的强度降低，且能提高对应的太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN101572281B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910146478.4
申请日：2009-06-08
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及光伏电池制造领域，具体涉及一种制备具有掺镓氧化锌绒面的衬底的方法、通过该方法制备的衬底以及包括该衬底的硅薄膜太阳电池。通过本发明提供的制备衬底的方法，可以获得具有掺镓氧化锌绒面的衬底，使硅薄膜太阳电池制造商摆脱绒面氧化锡玻璃供应商的限制，而进一步降低生产制造成本。可以将本发明提供的制备衬底的方法直接应用到硅薄膜太阳电池的生产制造中，并且通过该方法制备的衬底能够取代现有的昂贵的绒面氧化锡玻璃衬底，并表现出更加优异的性能。
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公开(公告)号：CN102931278A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210437455.0
申请日：2012-11-02
申请人： 无锡尚德太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳电池背面局部接触结构及其制造方法和对应的太阳电池及其制造方法。现有技术在制造背面局部结构时采用旋涂或喷涂硼聚合物存在着不利于工艺集成、利用效率低和存在毒害危险等问题。本发明的太阳电池背面局部接触结构制造方法和对应太阳电池制造方法，先将硅片清洗、正面扩散制PN结和边缘刻蚀，再在硅片背面沉积钝化层在钝化层上沉积与所述硅片掺杂类型相同的掺杂非晶介质层，之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在硅片背面上所述局部区域形成局部重掺区，并在掺杂非晶介质层和钝化层的对应位置上形成开口，最后在硅片背面上形成经由开口与局部重掺区电性连接的背面电极。本发明可有效提高工艺的集成度、源的利用率和操作的安全无毒性。
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