公开(公告)号：CN109216211B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810726671.4

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 靍泽俊浩 ,  小坂尚史 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  C09J7/24 ,  C09J7/29

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。

公开(公告)号：CN109216211A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726671.4

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 靍泽俊浩 ,  小坂尚史 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  C09J7/24 ,  C09J7/29

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/27 ,  C09J7/245 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。