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公开(公告)号：CN109155246B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201780024719.0
申请日：2017-04-05
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/149 , C01B33/18 , C09K3/14
Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系
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公开(公告)号：CN109937187B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201780069811.9
申请日：2017-10-06
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/14 , B24B37/00 , C01F17/235 , C01F17/10 , C09K3/14 , H01L21/304 , B82Y30/00
Abstract: 课题在于，提供一种二氧化硅系复合颗粒分散液，其对二氧化硅膜、Si晶片或难加工材料也能够以高速进行研磨，同时能够实现高面精度。该课题通过一种氧化铈系复合微粒分散液而解决，其包含具有下述特征的平均粒径50～350nm的氧化铈系复合微粒；氧化铈系复合微粒具有母粒、其表面上的含铈的二氧化硅层、和在含铈的二氧化硅层的内部分散的子粒，母粒以非晶质二氧化硅为主要成分，子粒以结晶性氧化铈为主要成分；子粒的粒径分布中的变异系数(CV值)为14～40％；氧化铈系复合微粒中二氧化硅与氧化铈的质量比为100:11～316；氧化铈系复合微粒在供于X射线衍射时仅检测到氧化铈的结晶相；氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测定的结晶性氧化铈的平均晶粒粒径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN109937187A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780069811.9
申请日：2017-10-06
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: C01B33/14 , B24B37/00 , C01F17/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 课题在于，提供一种二氧化硅系复合颗粒分散液，其对二氧化硅膜、Si晶片或难加工材料也能够以高速进行研磨，同时能够实现高面精度。该课题通过一种氧化铈系复合微粒分散液而解决，其包含具有下述特征的平均粒径50～350nm的氧化铈系复合微粒；氧化铈系复合微粒具有母粒、其表面上的含铈的二氧化硅层、和在含铈的二氧化硅层的内部分散的子粒，母粒以非晶质二氧化硅为主要成分，子粒以结晶性氧化铈为主要成分；子粒的粒径分布中的变异系数(CV值)为14～40％；氧化铈系复合微粒中二氧化硅与氧化铈的质量比为100:11～316；氧化铈系复合微粒在供于X射线衍射时仅检测到氧化铈的结晶相；氧化铈系复合微粒供于X射线衍射而测定的结晶性氧化铈的平均晶粒粒径为10～25nm。
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公开(公告)号：CN109155246A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780024719.0
申请日：2017-04-05
Applicant: 日挥触媒化成株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/149 , C01B33/18 , C09K3/14
Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。
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