公开(公告)号：CN110177852B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201780083133.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  岩崎幸博 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  中山和洋

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C01F17/235 ,  C01F17/10 ,  C08B15/04 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。

公开(公告)号：CN110177852A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083133.1

申请日：2017-12-28

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 小松通郎 ,  岩崎幸博 ,  西田广泰 ,  俵迫祐二 ,  中山和洋

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C01B33/18 ,  C01F17/00 ,  C08B15/04 ,  C08J5/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题为提供研磨组合物，通过针对形成有二氧化硅等覆膜的衬底使用不产生缺陷的磨粒而增加机械性摩擦效果，从而能够以高速进行研磨，同时能够实现低擦伤等高面精度。解决手段为研磨组合物，其包含磨粒、纤维素单元的C6位的羟基的至少一部分被氧化为羧基而得到的改性微纤维纤维素、以及分散介质，并且Na及K的各含量相对于固态成分重量而言为100ppm以下。

公开(公告)号：CN109155246B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201780024719.0

申请日：2017-04-05

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  小松通郎 ,  中山和洋 ,  岩崎幸博 ,  若宫義宪 ,  川上翔大 ,  碓田真也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C01B33/149 ,  C01B33/18 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系

公开(公告)号：CN109155246A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780024719.0

申请日：2017-04-05

Applicant: 日挥触媒化成株式会社

Inventor： 俵迫祐二 ,  小松通郎 ,  中山和洋 ,  岩崎幸博 ,  若宫義宪 ,  川上翔大 ,  碓田真也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C01B33/149 ,  C01B33/18 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。