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公开(公告)号：CN109399550B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201810165432.6
申请日：2018-02-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 一种微机电系统MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。所述分隔壁安置在所述第一电路层上。所述MEMS组件安置于所述分隔壁上，且电连接到所述第一电路层。所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间。所述第二电路层安置于所述第一电路层之上，且电连接到所述第一电路层。所述聚合性电介质层安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。
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公开(公告)号：CN108074894B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201710174532.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件封装，其包括一衬底、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层、一介电层、一第三图案化导电层和一连接器。该衬底具有一顶表面。该第一图案化导电层位于该衬底的该顶表面上。该第二图案化导电层与该第一图案化导电层接触。该第二图案化导电层包括一第一部分、一第二部分和一第三部分。该第二部分连接在该第一部分和该第三部分之间。该介电层位于该衬底的该顶表面上。该介电层覆盖该第一图案化导电层并且围绕该第二图案化导电层的该第二部分和该第三部分。该第二图案化导电层的该第一部分设置在该介电层上。该第三图案化导电层位于该第二图案化导电层上，以及该连接器直接位于该第三图案化导电层上。
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公开(公告)号：CN112542425A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201911276842.9
申请日：2019-12-12
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本公开的至少一些实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含衬底、电连接到所述衬底的管芯和第一包封料。所述管芯具有前表面和与所述前表面相反的后表面。所述第一包封料安置在所述衬底与所述管芯的所述前表面之间。所述第一包封料与所述管芯的所述前表面和所述衬底接触。
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公开(公告)号：CN111834342A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910514836.6
申请日：2019-06-14
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含电路层、第一封装体、第一天线和电子部件。所述电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一封装体安置在所述电路层的所述第一表面上。所述第一天线穿透所述第一封装体并电连接到所述电路层。所述电子部件安置在所述电路层的所述第二表面上。
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公开(公告)号：CN108447851A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810154835.0
申请日：2018-02-23
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/40
Abstract: 一种半导体装置封装，其包含载体、第一绝缘层、电容器元件、多个互连结构、多个基本上平行的顶部侧金属条以及多个基本上平行的底部侧金属条。所述第一绝缘层在所述载体上并且具有第一表面和邻近于所述载体且与所述第一表面相对的第二表面，所述第一绝缘层限定多个贯穿孔。所述电容器元件在所述第一绝缘层中，所述电容器元件包含顶部电极和底部电极。所述多个互连结构在所述贯穿孔内且形成为导电贯穿孔。所述多个基本上平行的顶部侧金属条在所述第一绝缘层的所述第一表面上。所述多个基本上平行的底部侧金属条在所述第一绝缘层的所述第二表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105789199A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610194443.8
申请日：2011-11-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明关于一种具有整合被动元件的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基材、一电阻器、一电感器、一连接垫、一保护层及一球下金属层。该电阻器、该电感器及该连接垫邻接于该基材的一表面，且彼此电性连接。该电感器的下表面与该电阻器的下表面共平面。该保护层覆盖该电感器及该电阻器。该球下金属层位于该保护层的开口内以电性连接该连接垫。藉此，可有效减少该半导体元件的厚度。
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公开(公告)号：CN102496616B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201110404709.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明关于一种具有整合被动元件的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基材、一电阻器、一电感器、一连接垫、一保护层及一球下金属层。该电阻器、该电感器及该连接垫邻接于该基材的一表面，且彼此电性连接。该电感器的下表面与该电阻器的下表面共平面。该保护层覆盖该电感器及该电阻器。该球下金属层位于该保护层的开口内以电性连接该连接垫。藉此，可有效减少该半导体元件的厚度。
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公开(公告)号：CN103367314A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310243104.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01F27/2804 , H01F41/046 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种半导体变压器，包括一第一线圈电感以及一第二线圈电感。第一线圈电感具有一第一端口、一第二端口以及一第一线圈电感墙，第一线圈电感墙具有一高度，而高度实质上相等于基板的一厚度。第二线圈电感具有一第三端口、连接至第三端口的一第一延伸墙、一第四端口、连接至第四端口的一第二延伸墙以及一第二线圈电感墙。
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公开(公告)号：CN102136475A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010118971.8
申请日：2010-01-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法。该半导体封装结构包括一基材、一第一电容、一第一保护层、一第一金属层及一第二保护层。该基材具有至少一穿导孔结构。该第一电容位于该基材的一第一表面。该第一保护层包覆该第一电容。该第一金属层位于该第一保护层上，且包括一第一电感。该第二保护层包覆该第一电感。藉此，可将该第一电感、该第一电容及该穿导孔结构一并整合至该半导体封装结构内，以缩减产品尺寸。
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公开(公告)号：CN101853855A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910131141.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种具有穿导孔的硅晶片及其制造方法。该硅晶片包括硅基材、绝缘层、至少一电性元件及至少一穿导孔。该绝缘层位于该硅基材的第一表面。该电性元件位于该硅基材内，且显露于该硅基材的第二表面。该穿导孔包括阻绝层及导电体，且贯穿该硅基材及该绝缘层，该穿导孔的第一端显露于该绝缘层的表面，且其第二端连接该电性元件。由此，当形成重布层于该绝缘层的表面时，该重布层不会接触该硅基材，因而可以避免电性短路的问题，故可使用较低解析度的工艺，同时降低制造成本并简化工艺步骤。
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