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公开(公告)号：CN103874654B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n （II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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公开(公告)号：CN103733273A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038516.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: H05K1/092 , C23C18/1216 , C23C18/1229 , C23C18/1258 , C23C18/1291
Abstract: 本发明公开了一种叠层体及其制造方法，该叠层体具有：基板，其表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于上述凹凸的底、侧壁面和顶上，导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。
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公开(公告)号：CN103733273B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201280038516.4
申请日：2012-08-08
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明公开了一种叠层体及其制造方法，该叠层体具有：基板，其表面具有高宽比为1.5～100的凹凸；和导电膜，其以大致均匀的厚度叠层于上述凹凸的底、侧壁面和顶上，导电膜为选自ITO膜、FTO膜、SnO2膜、ATO膜、AZO膜、GZO膜、IZO膜和IGZO膜中的任一种。
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公开(公告)号：CN103874654A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n？？？？（II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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