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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103874654A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n？？？？（II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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公开(公告)号：CN101679923B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880020586.0
申请日：2008-07-04
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C11D7/5027 , C11D7/247
Abstract: 本发明提供一种能形成膜成分脱落少的薄膜的清洗用溶剂。该有机薄膜的清洗用溶剂的特征为，通过KOH使正十八烷基三甲氧基硅烷水解缩聚而得到的聚合物在25℃的溶解度为100～400mg/g。该溶剂优选是含有至少1种式(I)所示化合物的芳香族烃系溶剂，特别优选是二乙基苯、Solvesso(注册商标)。(式中，各R可以相同或不同，表示C1-C18烷基；n表示2、3或4)。
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公开(公告)号：CN106103455A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014513.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C07F7/10 , B05D7/24 , C09D183/14 , C09D185/00
CPC classification number: C07F7/10 , C08G77/26 , C09D183/08
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速地成膜，而且无需进行繁琐的管理就能够制造杂质少、致密的无色透明的有机薄膜的方法。使用含有由式(I)表示的有机金属化合物的有机薄膜形成用溶液形成有机薄膜，R1nMXm‑n(I)(式(I)中，R1表示可以具有取代基或连接基团的碳原子数14～30的脂肪族烃基、可以具有取代基或连接基团的碳原子数14～30的卤代脂肪族烃基，M表示选自硅原子、锗原子、锡原子、钛原子和锆原子中的至少1种金属原子，X表示羟基或‑NR22基，X中的至少2个表示‑NR22基，R2表示氢原子、可以具有取代基的碳原子数1～10的烷基、或可以具有取代基的苯基，R2彼此可以相同，也可以不同，m表示M的原子价。n表示从1到(m‑2)中的任一正整数，n为2以上时，R1可以相同，也可以不同)。
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公开(公告)号：CN103874654B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n （II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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公开(公告)号：CN101679923A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020586.0
申请日：2008-07-04
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C11D7/5027 , C11D7/247
Abstract: 本发明提供一种能形成膜成分脱落少的薄膜的清洗用溶剂。该有机薄膜的清洗用溶剂的特征为，通过KOH使正十八烷基三甲氧基硅烷水解缩聚而得到的聚合物在25℃的溶解度为100～400mg/g。该溶剂优选是含有至少1种式(I)所示化合物的芳香族烃系溶剂，特别优选是二乙基苯、Solvesso(注册商标)。如图(I)(式中，各R可以相同或不同，表示C 1 -C 18 烷基；n表示2、3或4。)
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