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公开(公告)号：CN1347146A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01141512.6
申请日：2001-09-28
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 小林研也
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件包括:通过第一绝缘膜层叠在或键合于导电支撑衬底上的导电半导体衬底,将至少形成有所需器件的器件形成区与半导体衬底隔离的隔离沟槽,一隔离沟槽,以及半导体衬底不存在的衬底接触区。该半导体器件还包括第二绝缘膜,其填充上述隔离沟槽并覆盖衬底接触区的表面,在半导体衬底上形成的外部连接电极,以及一支撑衬底连接部分,其贯通衬底接触区中的第一绝缘膜和第二绝缘膜,以连接外部连接电极和支撑衬底。
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公开(公告)号：CN1202737A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98102275.8
申请日：1998-06-15
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 小林研也
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/8234
摘要： 本发明提供了一种半导体器件,即使扩散层狭窄,也能够实现高击穿电压。在该半导体器件中,第一耗尽层(29—1)从N型阱层(19)和P型漏层(20)之间的连接处扩展,第二耗尽层(29—2)从N型阱层(19)和P型硅基片(1A)之间的连接处扩展,在这两个耗尽层被击穿之前,它们彼此连接一个单独的耗尽层(29)。
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公开(公告)号：CN1215926A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98124555.2
申请日：1998-10-28
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 小林研也
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要： 一种第二导电型的晶体管为LMOS结构,和第一导电型的晶体管为LDMOS结构。第一导电型的晶体管具有漏极基层,其以与漏极偏置扩散层相同的方式作用,并且形成在与源极基础扩散层分离的衬底上。第一导电型的晶体管与第二导电型晶体管同样地具有稳定而高的击穿电压和低的通路电阻。
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公开(公告)号：CN1055789C
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN95108401.1
申请日：1995-06-16
申请人： 日本电气株式会社
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76286 , Y10S148/012
摘要： 将第一硅单晶体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体像SOI层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。
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公开(公告)号：CN1218296A
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：CN98122333.8
申请日：1998-11-12
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 小林研也
CPC分类号： H01L21/76281 , H01L21/76275 , H01L21/76283 , H01L29/7835
摘要： 将第一和第二P－型半导体衬底通过在其间夹上一绝缘膜胶合起来,构成SOI衬底。在P型SOI层中两衬底的表面形成沟道分隔区,供选择各元件用,从而通过用氧化膜埋设沟道将元件形成区封闭起来。在此由介电区分隔的元件形成区中形成具有P+型漏极扩散层和P－型漏极扩散层的MOS晶体管。向由沟道分隔区所封闭的元件形成区外的P+扩散层连接的电极和漏极扩散层上加同样的电位。这样做的结果是,无需在SOI衬底背面形成电极就可以避免耐压变差。
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公开(公告)号：CN1117206A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN95108401.1
申请日：1995-06-16
申请人： 日本电气株式会社
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76286 , Y10S148/012
摘要： 将第一硅单晶基体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体象SOI层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。
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