公开(公告)号：CN119968700A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202280007295.8

申请日：2022-10-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 石川征树 ,  久野达也 ,  伊奈友也

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面至少具有晶片载放部22；冷却板30，其接合于陶瓷板20的下表面，且具有冷媒流路32；气体通用路径51b、52b、53b，其设置成比冷媒流路32更靠上方；气体导入路径51a、52a、53a，其从冷却板30的下表面分别通至各个气体通用路径51b、52b、53b；以及气体分配路径51e、52e、53e，其相对于各个气体通用路径51b、52b、53b而设置有多个。配置于陶瓷板20的最外周的气体分配路径53e设置于俯视不与冷媒流路32重叠的位置。

公开(公告)号：CN119698691A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202280006069.8

申请日：2022-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  宇佐美太朗 ,  石川征树

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台(10)的上部基材(20)具备内置有电极(22)的陶瓷基材(21)，在陶瓷基材(21)的上表面具有晶片载放面(21a)。下部基材(30)配置在上部基材(20)的下表面侧，具备制冷剂流路(35)。贯通孔(36)沿上下方向贯通下部基材(30)。突起(38)呈点状设置在下部基材(30)的整个上表面，与上部基材(20)的下表面抵接。散热片(40)具有插入突起(38)的突起插入孔(44)，以在上部基材(20)和下部基材(30)之间被压缩的状态配置。螺纹孔(24)设置于上部基材(20)的下表面中与贯通孔(36)对置的位置，螺纹部件(50)从下部基材(30)的下表面插入贯通孔(36)而与螺纹孔(24)螺合。导热膏(60)介于突起(38)的侧面与散热片(40)的突起插入孔(44)的内周面之间。

公开(公告)号：CN115472483B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202210262384.9

申请日：2022-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件，其利用保护材料保护将陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料，并且防止由粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。作为半导体制造装置用构件的聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器、作为金属基座的FR用冷却板、作为粘接FR用冷却板与FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片、以包围粘接片的周围的方式设置在FR用陶瓷加热器与FR用冷却板之间的粘接性的内周侧及外周侧保护材料。在粘接片与内周侧保护材料之间设置有内周侧空隙层。在粘接片与外周侧保护材料之间设置有外周侧空隙层。

公开(公告)号：CN115472548B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202210501337.5

申请日：2022-05-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种聚焦环载置台，其利用保护材料保护将聚焦环用的陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料的内周侧以及外周侧，并且防止因粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器；作为金属基座的FR用冷却板；作为粘接FR用冷却板和FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片；以及在FR用冷却板和FR用陶瓷加热器之间以粘接于粘接片的内周部和外周部的方式设置的内周侧和外周侧保护材料。粘接片的热膨胀系数为内周侧保护材料的热膨胀系数以下且为外周侧保护材料的热膨胀系数以上。

公开(公告)号：CN116959941A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310005560.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板，且能够防止晶片产生温度特异点。晶片载放台(10)具备：氧化铝基材(20)、脆性的冷却基材(30)、以及延展性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且是以与在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)的卡合部卡合的状态收纳于收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹旋合。收纳孔(36)设置于制冷剂流路(32)的内部。

公开(公告)号：CN116895504A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310127913.9

申请日：2023-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  竹林央史 ,  久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其在不会妨碍对象物的吸附的状态下提高等离子体的产生效率。晶片载放台(10)具备陶瓷板(20)和导电性基材(30)。陶瓷板(20)在具有晶片载放面(21a)的板中央部(21)的外周具备具有聚焦环载放面(25a)的板环状部(25)。导电性基材(30)设置于陶瓷板(20)的下表面，用作高频源电极。在板环状部(25)以自聚焦环载放面(25a)起算为相同高度植入有聚焦环吸附用电极(26)和被供给偏置用高频的聚焦环侧高频偏置电极(27)。

公开(公告)号：CN116190186A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202210852241.3

申请日：2022-07-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极(26)；冷却基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金属接合层(40)，其将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合；以及多个小突起(22c)，它们在晶片载放面(22a)的基准面(22d)以顶面支撑晶片(W)的下表面。小突起(22c)的顶面在同一平面上。在晶片载放面(22a)的俯视与冷媒流路(32)重复的流路重复范围(R10)内，俯视冷媒流路(32)时与晶片载放面(22a)重复的范围内的与最上游部(32U)对置的小区域(A1)中，小突起(22c)的面积率最低。

公开(公告)号：CN115705986A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210872589.9

申请日：2022-07-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 竹林央史 ,  久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载置台，能够兼顾在高温下对晶片进行处理和从晶片高效地进行散热。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、第一冷却基材(30)和第二冷却基材(50)。陶瓷基材(20)具有晶片载置面(22a)，内置有晶片吸附用电极(25)和加热器电极(26)。第一冷却基材(30)经由金属接合层(40)接合于陶瓷基材(20)中的与晶片载置面(22a)相反侧的面，具有能够切换第一制冷剂的供给和供给停止的第一制冷剂流路(31)。第二冷却基材(50)隔着能够供给传热气体的空间层(42)安装于第一冷却基材(30)中的与金属接合层(40)相反侧的面，具有能够切换第二制冷剂的供给和供给停止的第二制冷剂流路(51)。

公开(公告)号：CN119895555A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202280006020.2

申请日：2022-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其具有晶片载放面22a且内置有电极；金属－陶瓷复合材料制的冷却板30，其具有冷媒流路32；以及接合层40，其将两个板20、30接合。从晶片载放面22a至冷媒流路32的上底及下底中的至少一者的长度在冷媒流路32的整体中并非恒定，而是存在该长度发生变化的部分。冷却板30为将包括彼此接合的第一薄型板部81及第二薄型板部82的多个板部进行金属接合得到的结构，第一薄型板部81具有第一流路部，该第一流路部是设置成俯视为与冷媒流路32相同形状的贯通沟。第二薄型板部82具有第二流路部，该第二流路部为设置于与第一流路部对置的位置的至少一部分的有底沟。

公开(公告)号：CN115985743B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202210678777.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。