公开(公告)号：CN101459203B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810179585.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 上之康一郎 ,  久世直洋 ,  森安嘉贵 ,  永濑和宏

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L25/16 ,  G01J5/20 ,  G01J5/04

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/0276 ,  H01L31/1035 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101459203A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810179585.2

申请日：2004-09-09

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 上之康一郎 ,  久世直洋 ,  森安嘉贵 ,  永濑和宏

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L25/16 ,  G01J5/20 ,  G01J5/04

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/0276 ,  H01L31/1035 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种红外线传感器，其包括基板以及在该基板上形成的、由多个化合物半导体层层叠而成的化合物半导体的层叠体，上述化合物半导体的层叠体包括：在该基板上形成的、作为包含铟及锑且n型掺杂了的材料的第六化合物半导体层；在该第六化合物半导体层上形成的、作为包含铟及锑且未掺杂或p型掺杂了的材料的第七化合物半导体层；以及在该第七化合物半导体层上形成的、作为以比上述第七化合物半导体层更高的浓度进行了p型掺杂、且具有比上述第六化合物半导体层及上述第七化合物半导体层更大的带隙的材料的第八化合物半导体层。

公开(公告)号：CN100511719C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200480025972.0

申请日：2004-09-09

Applicant: 旭化成电子材料元件株式会社

Inventor： 上之康一郎 ,  久世直洋 ,  森安嘉贵 ,  永濑和宏

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0203 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0204 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0215 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  G01J2001/0276 ,  H01L31/1035 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种红外线传感器IC、红外线传感器及其制造方法，尺寸极小，不易受到电磁噪声及热波动影响。在传感器部分(2)中使用元件电阻小、电子迁移率大的化合物半导体，通过在同一封装内以混合方式形成化合物半导体传感器部分(2)和对来自化合物半导体传感器部分(2)的电信号进行处理和运算的集成电路部(3)，可以实现以往没有的小型的、封装简易的可在室温下工作的红外线传感器IC。