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公开(公告)号:CN1291348A
公开(公告)日:2001-04-11
申请号:CN99803194.1
申请日:1999-02-25
Applicant: 时至准钟表股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 借助于用溅射法形成的铝层构成半导体装置的凸状端子,使其高度比别的部位充分地高,而且,用透明导电膜等的防止氧化的导电膜覆盖其最为突出的端面。
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公开(公告)号:CN1246933A
公开(公告)日:2000-03-08
申请号:CN98802308.3
申请日:1998-12-11
Applicant: 时至准钟表股份有限公司
CPC classification number: G04C10/02
Abstract: 本发明是把由光发电元件(101)发电的电力存储在蓄电元件(104)中,用其存储的电力驱动计时装置(105)的电子表,在由光发电元件(101)进行的蓄电元件(104)的充电电路中设置能够进行电通·断控制的开关(102),使用电压比较装置(103),以预定的周期间断地把开关(102)置于断开状态,把由光发电元件(101)发电的发电电压(Vs)与蓄电元件(104)的存储电压(Vb)进行比较,根据其比较结果,在Vs≤Vb时把开关(102)保持为断开状态不变,在Vs>Vb时把开关(102)置于接通状态。由此,防止来自蓄电元件(104)的电流的返流,而且,不存在充电时的电压降,提高充电效率。
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公开(公告)号:CN1139853C
公开(公告)日:2004-02-25
申请号:CN98802308.3
申请日:1998-12-11
Applicant: 时至准钟表股份有限公司
CPC classification number: G04C10/02
Abstract: 本发明是把由光发电元件(101)发电的电力存储在蓄电元件(104)中,用其存储的电力驱动计时装置(105)的电子表,在由光发电元件(101)进行的蓄电元件(104)的充电电路中设置能够进行电通·断控制的开关(102),使用电压比较装置(103),以预定的周期间断地把开关(102)置于断开状态,把由光发电元件(101)发电的发电电压(Vs)与蓄电元件(104)的存储电压(Vb)进行比较,根据其比较结果,在Vs≤Vb时把开关(102)保持为断开状态不变,在Vs>Vb时把开关(102)置于接通状态。由此,防止来自蓄电元件(104)的电流的返流,而且,不存在充电时的电压降,提高充电效率。
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公开(公告)号:CN1148794C
公开(公告)日:2004-05-05
申请号:CN99803194.1
申请日:1999-02-25
Applicant: 时至准钟表股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 借助于用溅射法形成的铝层构成半导体装置的凸状端子,使其高度比别的部位充分地高,而且,用透明导电膜等的防止氧化的导电膜覆盖其最为突出的端面。
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