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1.

发明授权
元件嵌入式封装结构和其制造方法有权复审申请

公开(公告)号：CN104241219B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410424606.8

申请日：2014-08-26

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李志成

IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/552 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/18 , H01L2224/215 , H01L2224/24145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2225/06517 , H01L2225/06589 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/18162 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/014 , H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种元件嵌入式封装结构和其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包含：衬底，具有第一表面和相对于所述第一表面的第二表面，和从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔；第一电性互连件，从所述第一表面延伸到所述第二表面；第一图案化导电层设置于所述第一表面上；第二图案化导电层设置于所述第二表面上，透过所述第一电性互连件与所述第一图案化导电层电性连接；至少一个裸片设置于所述通孔中，所述裸片具有主动面和相对于所述主动面的背面，所述裸片的背面是露出于所述衬底的第二表面；第一介电层，填入所述裸片与所述通孔的侧壁之间的空隙并且覆盖所述裸片的所述主动面和所述衬底的第一表面；第三图案化导电层设置于所述第一介电层的表面上，透过第二电性互连件与所述裸片电性连接；以及金属层，直接设置于所述裸片的背面上。

2.

发明授权
封装件上芯片结构和方法有权

公开(公告)号：CN104600064B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410106015.6

申请日：2014-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 , 叶德强 , 余国宠 , 洪瑞斌

IPC分类号： H01L25/16 , H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/0273 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/11616 , H01L2224/11622 , H01L2224/12105 , H01L2224/13101 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48096 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01322 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/12042 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/82 , H01L2924/00012

摘要： 提供了一种用于封装半导体器件的系统和方法。实施例包括：在载体晶圆上方形成通孔，以及在载体晶圆上方并且在第一两个通孔之间附接第一管芯。在载体晶圆上方并且在第二两个通孔之间附接第二管芯。封装第一管芯和第二管芯，以形成第一封装件，并且至少一个第三管芯连接至第一管芯或第二管芯。第二封装件在至少一个第三管芯上方连接到第一封装件。本发明还提供了封装件上芯片结构和方法。

3.

发明授权
半导体组件及制造半导体组件的方法有权

公开(公告)号：CN104269390B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴伟诚 , 侯上勇 , 郑心圃 , 刘醇鸿 , 邱志威 , 史朝文

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

4.

发明授权
预封装件和制造半导体封装件的方法以及电子装置有权

公开(公告)号：CN105609430B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510802368.4

申请日：2015-11-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张根豪 , 姜芸炳 , 赵泰济

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/36 , H01L23/544 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446 , H01L2224/02331 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/11849 , H01L2224/13026 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/1362 , H01L2224/13639 , H01L2224/13647 , H01L2224/13664 , H01L2224/14519 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/17181 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161

摘要： 本发明提供了制造半导体封装件的方法。所述方法包括步骤：在衬底的第一表面上形成包括金属的保护层，以覆盖设置在衬底的第一表面上的半导体器件；利用粘合构件将支承衬底附着至保护层；处理与保护层相对的衬底的第二表面，以去除衬底的一部分；以及将支承衬底从衬底拆卸。

5.

发明授权
三维IC方法和器件有权

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

申请人： 齐普特洛尼克斯公司

发明人： P·M·恩奎斯特 , 小盖厄斯·G·方丹 , 童勤义

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/603 , H01L23/48 , H01L25/065

CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/81121 , H01L2224/81201 , H01L2224/8123 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81931 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01059 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/81

摘要： 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

6.

发明授权
接合部和电配线有权

公开(公告)号：CN104553133B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410528116.2

申请日：2014-10-09

申请人： 纳普拉有限公司

发明人： 关根重信

IPC分类号： B32B15/01 , C22C5/02 , C22C9/02 , C22C11/06 , C22C13/00 , H01L23/10 , H01L23/31

CPC分类号： H01L24/05 , B22F1/0003 , B22F1/0062 , B22F1/025 , B22F7/064 , B22F2999/00 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/04026 , H01L2224/04073 , H01L2224/05647 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13347 , H01L2224/13411 , H01L2224/13447 , H01L2224/1349 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29313 , H01L2224/29347 , H01L2224/29411 , H01L2224/29447 , H01L2224/2949 , H01L2224/32507 , H01L2224/81447 , H01L2224/83447 , H01L2225/06544 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/13091 , H01L2924/3656 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , B22F2301/10 , B22F2301/255 , B22F2301/30 , B22F2301/205

摘要： 本发明提供一种不会产生空隙、裂纹等的高品质、高可靠度的电极接合部和电配线。将2个导体接合的接合部含有选自Si、B、Ti、Al、Ag、Bi、In、Sb、Ga的组中的至少一种、Cu和Sn，在其与导体之间形成有纳米复合结构的金属扩散区域。

7.

发明公开
一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法有权

公开(公告)号：CN106992164A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710228970.0

申请日：2017-04-10

申请人： 江西蓝微电子科技有限公司

发明人： 袁斌 , 徐云管 , 彭庶瑶 , 章敏

IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/45 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/4381 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047

摘要： 一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法，该键合丝是以高纯铜为主体材料，包括银、钪、铁、钛等微量金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：铜含量为：99.9%‑99.95%、银含量为0.01%‑0.02%、钪含量为0.01%‑0.02%、铁含量为：0.001%‑0.015%、钛含量为0.001%‑0.01%；其制造方法包括：提取纯度大于99.99%的高纯铜，制备成铜合金铸锭，再制成铸态铜合金单晶母线，将单晶母线拉制成1mm左右的单晶丝经热处理后，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的铜合金单晶键合丝。

8.

发明公开
封装衬底、其制造方法和包括该封装衬底的封装器件有权

公开(公告)号：CN106941102A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201710008692.8

申请日：2017-01-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴寿财 , 李揆镇

IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48624 , H01L2224/48824 , H01L2224/73265 , H01L2224/85423 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05432 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本发明可提供一种封装衬底，包括：绝缘层，其具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面；布置在绝缘层中并且邻近于绝缘层的顶表面的至少一个第一铜图案；布置在绝缘层的底表面上的至少一个第二铜图案；以及布置在所述至少一个第一铜图案上的至少一个嵌入式铝焊盘，所述至少一个嵌入式铝焊盘布置在绝缘层中，以使得所述至少一个嵌入式铝焊盘的顶表面通过绝缘层暴露出来。