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1.

发明授权
半导体结构有权

公开(公告)号：CN104617056B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201410825904.8

申请日：2010-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢祯发 , 刘重希 , 余振华 , 陈威宇 , 陈正庭

IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/48

CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082

摘要： 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。

2.

发明公开
印刷电路板及其制造方法和半导体封装件有权

公开(公告)号：CN107306477A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710099075.3

申请日：2017-02-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴寿财

IPC分类号： H05K1/18 , H05K3/28 , H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48229 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2224/85395 , H01L2224/85424 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05432 , H01L2924/1443 , H01L2924/15724 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/40252 , H01L2924/403 , H01L2924/40404 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H05K1/185 , H05K3/284

摘要： 提供了一种印刷电路板(PCB)及其制造方法和一种半导体封装件，所述印刷电路板包括：绝缘层，具有上表面和与上表面相对的下表面；第一导电图案，在绝缘层的上表面上；第二导电图案，在绝缘层的下表面上；铝图案，覆盖第一导电图案的上表面的至少一部分；以及第一钝化层，覆盖第一导电图案的侧面的至少一部分，并且防止进入第一导电图案中的扩散。

3.

发明公开
整合扇出型封装体无效

公开(公告)号：CN107195595A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201610719176.1

申请日：2016-08-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖思豪 , 郭宏瑞 , 胡毓祥

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/12105 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/18162 , H01L23/3171

摘要： 一种整合扇出型封装体，包括晶粒、绝缘密封体、填充物以及重布线路结构。绝缘密封体密封晶粒的侧壁，且绝缘密封体包括位于其上表面的凹陷。填充物覆盖绝缘密封体的上表面且至少部分填入凹陷内。重布线路结构覆盖晶粒的有源表面以及填充物，且与晶粒电性连接。重布线路结构包括覆盖晶粒以及填充物的介电层。

4.

发明公开
高密度扇出封装结构有权

公开(公告)号：CN107078119A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058661.2

申请日：2015-09-04

申请人： 高通股份有限公司

发明人： D·W·金 , H·B·蔚 , J·S·李 , S·顾

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/49816 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/6835 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/81 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/08238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2924/01073 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321

摘要： 一种高密度扇出封装结构可包括触点层。该触点层包括具有面向有源管芯的第一表面和面向重分布层的第二表面的导电互连层。该高密度扇出封装结构具有在该导电互连层的第一表面上的阻挡层。该高密度扇出封装结构还可包括具有导电路由层的重分布层。该导电路由层可被配置成将第一导电互连耦合至该导电互连层。该高密度扇出封装结构可进一步包括第一通孔，其耦合至该阻挡内衬并且被配置成与至该有源管芯的第二导电互连相耦合。

5.

发明授权
通过装设附加保护层以在运送期间保护半导体装置的反应性金属表面的技术失效

公开(公告)号：CN102915921B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210071418.2

申请日：2012-03-16

申请人： 格罗方德半导体公司 , 格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司

发明人： M·列 , J·霍海格 , A·奥特

IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/02 , H01L23/28

CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/3107 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05647 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48647 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/85205 , H01L2224/85375 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 一种通过装设附加保护层以在运送期间保护半导体装置的反应性金属表面的技术，在形成以铜为基础之复杂金属化系统时，最终金属化层可接受以铜为基础的接触区域，可基于专属保护层来钝化该接触区域的表面，从而允许在运送装置至远端制造场所之前图案化钝化层堆栈。因此，在远端制造场所，基于有效的无掩膜湿化学蚀刻制程，可有效地再暴露受保护的接触面。

6.

发明授权
在接触焊盘上形成再分布层的方法和半导体器件有权转让

公开(公告)号：CN102347253B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201110255476.6

申请日：2011-07-26

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 林耀剑 , 陈康 , 方建敏 , 冯霞

IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/00

CPC分类号： H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L2224/02311 , H01L2224/02321 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本发明涉及在接触焊盘上形成再分布层的方法和半导体器件。一种半导体器件包括具有有源表面的半导体管芯。第一导电层形成在该有源表面上。第一绝缘层形成在有源表面上。第二绝缘层形成在该第一绝缘层和第一导电层上。在该第一导电层上去除第二绝缘层的一部分以使第二绝缘层没有任何部分覆盖在该第一导电层上。第二导电层形成在该第一导电层和第一和第二绝缘层上。该第二导电层在该第一导电层上延伸上至该第一绝缘层。备选地，该第二导电层横跨该第一导电层延伸上至该第一导电层相对侧上的该第一绝缘层。在该第二导电层和第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层。

7.

发明公开
半导体器件无效

公开(公告)号：CN106558506A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610649174.X

申请日：2016-08-10

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 矢岛明

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31

CPC分类号： H01L24/14 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/05073 , H01L2224/0508 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05664 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14051 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/14177 , H01L2224/14179 , H01L2224/14517 , H01L2224/16058 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81139 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/07025 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01022 , H01L2924/04941 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/01024 , H01L2924/01073 , H01L2924/0496 , H01L2924/01046 , H01L2924/01044 , H01L2924/01078 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L24/10 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L2224/1701 , H01L2224/1703 , H01L2224/171 , H01L2224/1712

摘要： 本发明提供一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在半导体器件中，连接半导体芯片(CHP)和布线基板(WB)的凸块电极(BE2)包括将其周围用绝缘膜(17)包围的第1部分和从绝缘膜(17)露出的第2部分。能够在增加凸块电极(BE2)的高度的同时，减小凸块电极(BE2)的宽度，所以能够增加与相邻的凸块电极(BE2)的距离，密封材料(UF)的填充性提高。

8.

发明公开
一种凸点下金属化层构件及制备方法无效

公开(公告)号：CN106356352A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610953957.7

申请日：2016-10-27

申请人： 江苏科技大学

发明人： 王凤江 , 李东洋 , 黄瑛

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13026 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/013 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05341

摘要： 本发明提供一种凸点下金属化层构件及制备方法，所述构件包括：位于半导体衬底金属焊盘上方的第一层金属、位于所述第一层金属上方的第二层金属、位于所述第二层金属上方的第三层金属，其中所述第二层金属与所述第三层金属经过金属热处理工艺后，形成第二层金属与第三层金属的合金层；位于所述合金层上方的第四层金属。还公开了凸点下金属化层的制备方法。本发明公开的凸点下金属化层(UBM)构件简单、制备方法便捷，且能明显抑制界面处Cu-Sn-Zn金属间化合物的生长，并能显著提高UBM层焊料连接的抗冲击性能和电子器件可靠性，最优情况下能延长电子元器件一倍以上的使用寿命。