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公开(公告)号：CN114592236A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210254705.0
申请日：2022-03-15
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长得到整棒电阻率范围窄(0.4～1.25Ω·cm)、氧杂质浓度低(＜14ppm)、碳杂质浓度低(＜1ppm)、少子寿命长(＞140μs)的A级优质单晶硅棒。
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公开(公告)号：CN117385457A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN117385457B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311420048.3
申请日：2023-10-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种延缓单晶炉内籽晶变色的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在单晶炉的副炉室内，沿中轴线竖直设置引气罩以匹配籽晶尖端位置和氩气流走向，增大籽晶尖端氩气流量以降低籽晶尖端温度，延缓籽晶变色，节省更换籽晶造成的时间成本；其中引气罩内壁沿周向均匀设置有若干条肋片，引气罩包括从上至下依次连接的引气罩S1段、引气罩S2段和引气罩S3段，引气罩S1段的顶部为微喇型进气端，引气罩S2段为圆柱形引气筒Ⅱ，引气罩S3段为漏斗型引气筒，引气罩内沿中轴线竖直设置有钼质重锤。引气罩还可提高单晶硅拉制过程中缩颈段和放肩段的气流流速，降低缩颈段和放肩段的晶体温度，增大温度梯度，缩短工序时间、提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN114592236B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210254705.0
申请日：2022-03-15
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长得到整棒电阻率范围窄(0.4～1.25Ω·cm)、氧杂质浓度低(＜14ppm)、碳杂质浓度低(＜1ppm)、少子寿命长(＞140μs)的A级优质单晶硅棒。
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公开(公告)号：CN220564773U
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202320997057.8
申请日：2023-04-27
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本实用新型公开了一种用于大尺寸单晶硅棒的导流筒，包括外筒和内筒，所述外筒和内筒均为顶部直径大、底部直径小的中空圆台状结构，所述内筒圆周外壁紧贴外筒的圆周内壁，所述内筒内均匀分布有一组圆弧形片状结构的气道，所述内筒的顶部设置有竖直段，所述竖直段中均匀分布有一组圆形的气孔，所述气孔下端与气道上端相连，所述气孔上端连接有送气管。本实用新型创造性设计了气体流通气路，使氩气对单晶硅棒的冷却均匀，及时带走自由液面上各点长生的挥发物，有效提升大尺寸单晶硅棒生成质量；导流筒使用特殊材料硅酸铝纤维和金属钼可有效降低炉内热量流失，节能保温，使用寿命长；导流筒整体结构清晰易懂，易于装配且装配精度高，值得推广。
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