一种基于X射线探测的翡翠原石内部缺陷的检测方法

    公开(公告)号:CN118362589A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410450292.2

    申请日:2024-04-15

    Abstract: 本发明实施例公开一种基于X射线探测的翡翠原石内部缺陷的检测方法,该方法包括:对待测翡翠原石样品进行X射线断层扫描;基于X射线断层扫描结果,对待测翡翠原石样品中裂隙进行分析;若分析结果表征存在裂隙,则从X射线断层扫描结果中获取待测翡翠原石中裂隙的特征信息以及位置信息,生成裂隙分析结果;从X射线断层扫描结果中选取与裂隙相关的若干扫描图像,生成裂隙走势三维图;基于裂隙走势三维图和裂隙分析结果输出待测翡翠原石的裂隙评估结果。由此,本实施例通过X射线断层扫描技术对待测翡翠原石样品的内部缺陷进行科学的可视化呈现和分析,从而为翡翠原石后续加工提供科学的参考依据,最大限度地降低了翡翠原石买卖交易中的经济损失。

    一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119505886A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411614159.2

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明涉及一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用,属于荧光材料技术领域。本发明Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉的化学通式为:LiMg2Al9O16:xNi2+,其中0.01≤x≤0.05;所述荧光粉基质具有尖晶石结构,所述荧光粉在波长为250~750nm可见光激发下,发射峰值位于900~1600nm的短波近红外光,发射光谱的半峰宽为200~250nm。由于LiMg2Al9O16的尖晶石结构中含有约3%的Mg′Al和Al·Mg反位缺陷,形成[Mg‑O]6和[Al‑O]6两个八面体格位,在370nm激发下可产生中心波长为1180nm,半峰宽为210nm的超宽带Ni2+近红外发射。该荧光粉具有合成简便、热稳定性好、所需能耗低等优点,可解决现有技术稳定性差,合成条件复杂的问题。

    X射线辐照蓝色合成立方氧化锆变色快速恢复试验方法

    公开(公告)号:CN117030933A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310865543.9

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种X射线辐照蓝色合成立方氧化锆变色快速恢复试验方法,包括:步骤一,按照摩尔百分比准备粉料;步骤二,采用冷坩埚熔壳法蓝色合成立方氧化锆;步骤三,对蓝色合成立方氧化锆晶体进行X射线辐照,使其产生变色;步骤四,热处理;步骤五,紫外灯光照;步骤六,将各种辐照、热处理、紫外光照射后的合成立方氧化锆进行拍摄对比,并利用光纤光谱仪对这些合成立方氧化锆的色度进行测定,寻求颜色恢复到辐照前原始色度的最佳热处理及光照参数。本发明通过合成立方氧化锆辐照变色后快速恢复试验,寻求可多次循环利用,兼顾经济和环保效益的新材料,为防辐射泄漏指示灯材料提供新选择,使X射线防辐射泄露指示灯更易于向市场推广应用。

    一种透射电镜原位观测铜或铜合金形核生长的方法

    公开(公告)号:CN117030753A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311003728.5

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本发明涉及一种透射电镜原位观测铜或铜合金形核生长的方法,属于检测技术领域。本发明方法将铜或制备铜合金所需的金属单质粉末与非晶介质玻璃材料的原料混合均匀,加热至熔融温度并保温,随炉冷却得到固态非晶前驱体;将固态非晶前驱体研磨成粒径300~500nm的颗粒得到固态非晶前驱体粉末;固态非晶前驱体粉末均匀分散在透射电镜观测用的铜网上,将负载有固态非晶前驱体粉末的铜网进行退火热处理,使固态非晶前驱体粉末中铜或铜合金达到形核临界点,得到原位观测试样;将原位观测试样置于透射电镜中,调节透射电镜电子束辐照能量密度对原位观测试样辐照,诱导铜或铜合金形核生长,原位观测试样中铜或铜合金的形核结晶生长过程。

    一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用

    公开(公告)号:CN116478686A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310460599.6

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿闪烁体及在X射线成像闪烁屏中的应用,属于X射线成像技术领域。本发明钙钛矿闪烁体化学式为Cs5Cu3Cl8‑xIx,1≤x≤2。将原料钙钛矿闪烁体Cs5Cu3Cl8‑xIx和PDMS混合,经“压盖法”制备Cs5Cu3Cl8‑xIx闪烁屏,改善闪烁屏在高温下的辐射稳定性,降低闪烁屏的厚度,提高闪烁屏的负载量和均匀程度,以实现在高温环境下进行高质量X射线成像。本发明填补了高温下无法进行X射线成像检测的空白,同时解决现有闪烁体成膜技术中闪烁体薄膜不均匀、辐射发光强度低等缺陷的技术问题。

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