公开(公告)号：CN118073475A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410235127.5

申请日：2024-03-01

申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 ,  晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 武啟强 ,  崔宁 ,  张伟 ,  褚君凯 ,  穆晓超 ,  王菲 ,  胡文敏 ,  李德蓉 ,  张洁 ,  贾慧君

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括：对N型硅片的正面和背面进行制绒处理；对完成制绒处理的N型硅片正面进行硼扩处理；对完成硼扩处理的N型硅片的正面进行氧化处理；对完成氧化处理的N型硅片背面进行去BSG处理；对完成去BSG处理的N型硅片背面依次进行碱抛处理、碱洗处理和酸洗处理；在完成酸洗处理的N型硅片背面沉积隧穿氧化层。通过在酸洗处理过程中使用氢氟酸和氯化氢的混合溶液，可将游离的氧原子与N型硅片背面进行氧化反应后形成的自然氧化层去除，从而提高隧穿氧化层沉积的均匀性和最终的钝化效果，进而提高TOPCon电池的工作效率。

公开(公告)号：CN215773046U

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202121412671.0

申请日：2021-06-24

申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 ,  晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 田甲 ,  张伟 ,  崔宁 ,  郝鹏飞 ,  徐国栋 ,  王裕 ,  褚君凯 ,  贾慧君

IPC分类号： H02S50/15

摘要： 本实用新型提供了一种用于多主栅太阳能电池局部缺陷检测的探针排结构，太阳能电池具有N条主栅，N＞1；探针排结构包括若干探针排，所述探针排与相对应位置主栅接触；每排所述探针排均连接有一个阻值相同的定值电阻，所述探针排的一端通过所述定值电阻串联至电源的一个电极，电源的另一个电极电连接至所述探针排的另一端。本实用新型可以使得外部电流较为均匀地注入太阳电池中，受太阳电池本身性能不均匀影响较小，能够有效避免边缘异常区域未被显示出来导致漏判的情况发生因而提高了对局部缺陷的检测能力，同时减少了探针排个数，探针的电连接结构简化了探针排的整体结构，降低了成本。

公开(公告)号：CN213520012U

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202022611209.5

申请日：2020-11-12

申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 ,  晋能光伏技术有限责任公司

发明人： 穆晓超 ,  王路路 ,  陈鸿 ,  李叶 ,  高跃宇 ,  褚君凯 ,  李文敏 ,  和青青 ,  刘学飞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0224

摘要： 本实用新型公开了一种太阳能电池的正面栅线网版，包括互相平行的多个纵主栅线和互相平行的多个横细栅线，主栅线与细栅线相互垂直分布；每一个主栅线均包括两个分段主栅线且两个分段主栅线共线，分段主栅线两端均设有鱼叉结构，共线且相对的两个鱼叉结构之间具有间距，相对的鱼叉结构端部分别设有两个连接焊点；每一个细栅线与主栅线垂直相交处均设有两个连接点，且两个连接点分别在主栅线两侧，相邻细栅线之间还设有分流线，本实用新型结构简单，通过设置分段主栅线，可以将全片电池切割成半片电池并对半片电池进行组件封装，提高电池组件的产出功率。

公开(公告)号：CN114277356A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111590976.5

申请日：2021-12-23

申请人： 晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 聂文君 ,  王路路 ,  王菲 ,  王晶 ,  穆晓超 ,  褚君凯 ,  李叶 ,  冀琼

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/02 ,  C30B33/10 ,  C30B31/08 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法，属于太阳能电池生产技术领域。包括：制绒‑将硅片置于多晶制绒清洗机中，利用制绒液与硅片反应，在硅片表面织构化处理制备绒面；扩散‑将制绒后的硅片置入扩散炉，利用低压热扩散法，以液态三氯氧磷作为扩散磷源并通过氮气携带进入炉管，在硅片表面形成PN结；刻蚀‑将扩散后的硅片置入背抛光机台，利用刻蚀液与硅片反应，去除硅片在扩散过程中边缘及背面形成的N型层，并去除硅片正面的磷硅玻璃；镀膜‑将刻蚀后的硅片置入PECVD机台中，在500‑520℃，以石墨舟为载体，真空状态下，通过射频电源激发SiH4和NH3辉光放电产生等离子体，在硅片表面发生化学反应生成氮化硅膜。

公开(公告)号：CN114267742A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111530288.X

申请日：2021-12-14

申请人： 晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 褚君凯 ,  王路路 ,  穆晓超 ,  赵文贵 ,  王彦杰 ,  陈宇阳 ,  周钦龙

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236

摘要： 本发明提供一种PERC太阳能电池的背面开槽方法及结构，背面开槽方法包括以下步骤：在中央晶体硅片的一面生长氮化硅薄膜层；通过20000‑35000mm/s的打标速度以及800‑1100KHz的频率的激光对所述氮化硅薄膜层作激光消融处理，缩窄背面激光背电极镂空宽度为半镂空，并控制所述氮化硅薄膜层上的激光开孔率为1.22％或者控制所述氮化硅薄膜层上的需实比为0.4:0.6。本发明相比于常规激光开槽工艺，具有低开孔率及增加银铝合金与硅片接触效果，此种开槽新工艺能够取得意想不到的效果，采用此种背面开槽工艺能够大幅增加背面钝化膜面积，从而提升转换效率。