公开(公告)号：CN118888640A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410992089.8

申请日：2024-07-23

申请人： 晋能清洁能源科技股份公司 ,  晋能光伏技术有限责任公司

发明人： 胡文敏 ,  李德蓉 ,  武啟强 ,  张伟 ,  崔宁 ,  穆晓超 ,  徐国栋 ,  张洁

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种ALD镀膜方法及其设备，属于光伏电池制备技术领域。包括：在第一恒定温度下，向反应腔体内部通入作为铝源的吸附气体，以在N型硅片上进行吸附反应；在第二恒定温度下，向反应腔体内部通入作为水源的氧化气体，以在N型硅片上进行氧化反应；之后再进行循环ALD镀膜处理，以使N型硅片背面的四周和正面形成初始氧化铝薄膜，再将N型硅片取出并降温，得到制备好的氧化铝薄膜。通过向反应腔体通入温度恒定的作为铝源的吸附气体和作为水源的氧化气体，使得铝源和水源能够在N型硅片的背面的四周和正面进行吸附反应和氧化反应，提高N型硅片的背面四周和正面形成的氧化铝薄膜的均匀性，提高TOPCon电池的钝化效果和光电转换效率。

公开(公告)号：CN118073475A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410235127.5

申请日：2024-03-01

申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 ,  晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 武啟强 ,  崔宁 ,  张伟 ,  褚君凯 ,  穆晓超 ,  王菲 ,  胡文敏 ,  李德蓉 ,  张洁 ,  贾慧君

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层的制备方法，属于光伏电池制备技术领域。包括：对N型硅片的正面和背面进行制绒处理；对完成制绒处理的N型硅片正面进行硼扩处理；对完成硼扩处理的N型硅片的正面进行氧化处理；对完成氧化处理的N型硅片背面进行去BSG处理；对完成去BSG处理的N型硅片背面依次进行碱抛处理、碱洗处理和酸洗处理；在完成酸洗处理的N型硅片背面沉积隧穿氧化层。通过在酸洗处理过程中使用氢氟酸和氯化氢的混合溶液，可将游离的氧原子与N型硅片背面进行氧化反应后形成的自然氧化层去除，从而提高隧穿氧化层沉积的均匀性和最终的钝化效果，进而提高TOPCon电池的工作效率。

公开(公告)号：CN117328039A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311298990.7

申请日：2023-10-09

申请人： 晋能光伏技术有限责任公司 ,  晋能清洁能源科技股份公司

发明人： 武啟强 ,  张伟 ,  崔宁 ,  穆晓超 ,  胡文敏 ,  李德蓉 ,  孟鑫伟 ,  和青青

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40

摘要： 本发明涉及一种管式ALD镀膜方法及其系统，属于TOPCon电池及管式ALD镀膜技术领域。包括对装载有N型硅片的炉管进行抽真空处理和预热处理；在第一恒压下，将第一前驱体通入所述炉管中；在第二恒压下，将第二前驱体通入所述炉管中，得到一层原子层薄膜。进行ALD镀膜过程中，在第一恒压的条件下通入第一前驱体进行反应、以及在第二恒压的条件下通入第二前驱体进行反应，以保证第一前驱体和第二前驱体能够在N型硅片上均匀吸附，从而确保N型硅片上镀膜的均匀性，保证了电池片的钝化性能，提高光伏电池的工作效率和合格率。