一种异质结太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112701194A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202011595645.6

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升,从而提升电池片的短路电流,将电池背面膜层的方块电阻降低,从而获得高的填充因子,从而带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。

    一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN112466978A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011262779.6

    申请日:2020-11-12

    IPC分类号: H01L31/0747 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括:单晶硅片基底;单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜;单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜;透明导电薄膜上均设有金属电极。本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下,通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备,在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta,从设备及工艺两个方向达到降本的目的。本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层,使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。

    一种高效异质结太阳能电池的制备工艺

    公开(公告)号:CN112466990A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011265034.5

    申请日:2020-11-12

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/072

    摘要: 本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制备工艺,包括如下步骤:用碱液对硅片进行抛光处理;对硅片进行高温及磷吸杂处理,在硅片正背表面沉积形成磷扩散层;通过碱溶液去除磷扩散层,形成硅片表面的织构化;在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层;在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层;在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极;固化金属电极;测试分选。本发明提供的一种异质结太阳能电池的制备工艺,极大程度上改善了生产过程中硅片品质问题带来的影响,从而进一步提升了异质结太阳能电池的转换效率。

    一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111653644A

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN202010513271.2

    申请日:2020-06-08

    摘要: 本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池,包括:晶硅衬底;晶硅衬底的上表面依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂层、第一TCO层和第一金属电极;晶硅衬底的下表面依次设置有第二本征非晶硅层、第二掺杂层、第二TCO层和第二金属电极;制备方法:(1)得到晶硅衬底;(2)离子体化学气相沉积第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、第一掺杂层和第二掺杂层;(4)沉积第一TCO层和第二TCO层,同时进行等离子体处理;(5)通过丝网印刷形成第一金属电极和第二金属电极,即得。本发明方法快速、实用、易于实现,可优化TCO和掺杂非晶硅的功能性界面接触,显著提高异质结太阳能电池的转换效率。

    一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备

    公开(公告)号:CN112760621A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202011450582.5

    申请日:2020-12-09

    摘要: 本发明公开了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备,包括:预热腔、工艺腔和冷却腔,并依次相连通,硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜,并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却;所述工艺腔的一个侧面设置有进气口,相对的侧面设置有尾气管路,且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板,所述电极板在竖直方向上平行设置,并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板,相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势;所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔;本发明为单腔多层非晶硅沉积设备,电极板在竖直方向上平行设置,形成多层结构,能够有效减小设备的占地面积,大幅度增加单台设备产能,解决了现有技术中存在的问题。

    一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法

    公开(公告)号:CN108538966A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810346774.8

    申请日:2018-04-18

    IPC分类号: H01L31/20

    摘要: 本发明公开了一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法。它包括以下步骤:A、将CVD后返工片利用CP槽药液进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层;B、经过步骤A后制绒添加剂辅助下进行微制绒;C、利用PECVD工艺,在硅片上下表面沉积非晶硅膜层,厚度为8-10nm,然后再上下分别沉积掺杂非晶硅膜层;D、利用PVD/RPD工艺沉积TCO导电膜;E、利用丝网印刷技术进行金属化,形成金属电极。采用上述的方法后,将非晶硅膜层的去除与重新微制绒分开进行,巧妙地利用CP槽寿命末期药液进行非晶硅去除;然后进行短时间微制绒,这样一批返工片分两次进行清洗,即大大降低了返工成本,又保证了返工片清洗质量,同时还避免了由于清洗返工片而带来的槽体及药液污染。

    一种异质结太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112701194B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202011595645.6

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升,从而提升电池片的短路电流,将电池背面膜层的方块电阻降低,从而获得高的填充因子,从而带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。