发光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102593292B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201210009116.2

    申请日:2012-01-12

    IPC分类号: H01L33/10

    摘要: 本发明公开一种发光装置,其包含:一基板;一透明导电层,设置于基板上;一半导体窗户层,形成于透明导电层上且具有一平坦表面及多个凹槽,其中每一凹槽具有一侧壁表面;及一发光叠层,形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。此些凹槽中的至少其中一个的侧壁表面相对于平坦表面倾斜,且平坦表面与透明导电层之间的接触电阻小于侧壁表面与透明导电层之间的接触电阻。

    发光装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102593292A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210009116.2

    申请日:2012-01-12

    IPC分类号: H01L33/10

    摘要: 本发明公开一种发光装置,其包含:一基板;一透明导电层,设置于基板上;一半导体窗户层,形成于透明导电层上且具有一平坦表面及多个凹槽,其中每一凹槽具有一侧壁表面;及一发光叠层,形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。此些凹槽中的至少其中一个的侧壁表面相对于平坦表面倾斜,且平坦表面与透明导电层之间的接触电阻小于侧壁表面与透明导电层之间的接触电阻。

    发光二极管阵列
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108630720A

    公开(公告)日:2018-10-09

    申请号:CN201810358864.9

    申请日:2012-09-06

    IPC分类号: H01L27/15 H01L33/44

    摘要: 本发明提供一发光二极管阵列,包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道;该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层;该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间,且包括一电极绝缘层;该电极连接层包覆该第一区域;该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫;该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上;该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间,且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。

    发光二极管阵列
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103681724B

    公开(公告)日:2018-05-15

    申请号:CN201210328231.6

    申请日:2012-09-06

    IPC分类号: H01L27/15

    摘要: 本发明提供一发光二极管阵列,包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道;该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层;该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间,且包括一电极绝缘层;该电极连接层包覆该第一区域;该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫;该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上;该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间,且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管。