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公开(公告)号：CN109342858B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201811467388.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了ESD测试方法及装置，属于电子技术领域。本发明利用放电棒在预设测试电压下对待测设备的每个信号线分别进行放电测试，从而获取每个信号线在放电测试时对应的待测设备的工作状态及待测设备的总电流，当待测设备的工作状态为正常状态时，根据待测设备的总电流判断待测设备是否异常，实现了根据静电对待测设备总电流的影响对待测设备的ESD性能进行分析判断的目的，提高了测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN109347324A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811393197.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种电源电路及降低电源输出误差的方法，属于供电领域。本发明采用转换电路将接收到的供电电源的输入电压转换为目标输出电压；通过PWM控制单元在高阻状态下控制所述转换电路输出所述目标输出电压，提升输出电压的准确性，降低输出电压的误差，从而保证系统工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN107911955A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711332736.9
申请日：2017-12-13
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种芯片更换方法，适用于更换焊球阵列封装芯片，属于主板维修技术领域，包括以下步骤：提供BGA焊台；设置BGA焊台工作的温度曲线；将主板固定于BGA焊台上，并使主板上的待更换芯片对准BGA焊台的上风口和下风口；启动BGA焊台，BGA焊台根据温度曲线对待更换芯片加热，并于BGA焊台的实际工作温度与温度曲线的最高温度具有预设一温度差时操作BGA焊台，使BGA焊台保持当前的工作温度；从主板上取下待更换芯片，并清理待更换芯片对应的焊盘上的焊锡；关闭BGA焊台，并将替换芯片放置到焊盘上；启动BGA焊台，BGA焊台根据温度曲线将替换芯片焊接在主板上。上述技术方案的有益效果是：BGA芯片更换时间短，焊接良率高，提高BGA芯片更换的效率。
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公开(公告)号：CN107820139A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711086976.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，尤其涉及一种网络接口电路，其中，包括：网络变压器，包括一次侧线圈和二次侧线圈，二次侧线圈包括位于线圈两端的主抽头以及从二次侧线圈中心引出的中心抽头；接口芯片，包括通信端口和接地端口，每个通信端口分别与网络变压器对应的主抽头连接；其中，二次侧线圈的中心抽头与接地端口短接后通过一接地电阻与地线连接；能够在不增加成本的情况下改善网络接口电路浪涌情况，提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107517540A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710656511.2
申请日：2017-08-03
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H04N21/426
Abstract: 本发明提供一种散热装置及一种多媒体终端，适用于具有DDR的嵌入式系统功能模块，功能模块包括电路板以及布设在电路板上的电路结构，电路结构包括主控模块、存储模块及信号模块，主控模块分别连接存储模块和信号模块，存储模块为双倍速率同步动态随机存储器，散热装置为片状，散热装置设置在电路板上；散热装置覆盖主控模块和信号模块，散热装置上设有一对应存储模块的缺口，缺口位于存储模块的上方。本发明的有益效果：通过在DDR区域开口，将DDR的反射带来的干扰能量通过散热装置的缺口处释放，解决DDR工作信号通过散热装置产生反射会干扰覆盖区域内的存储器模块发出的敏感信号的问题，不用增加电路成本，不用改版产品的结构设计。
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公开(公告)号：CN107517540B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710656511.2
申请日：2017-08-03
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: H05K1/02 , H04N21/426
Abstract: 本发明提供一种散热装置及一种多媒体终端，适用于具有DDR的嵌入式系统功能模块，功能模块包括电路板以及布设在电路板上的电路结构，电路结构包括主控模块、存储模块及信号模块，主控模块分别连接存储模块和信号模块，存储模块为双倍速率同步动态随机存储器，散热装置为片状，散热装置设置在电路板上；散热装置覆盖主控模块和信号模块，散热装置上设有一对应存储模块的缺口，缺口位于存储模块的上方。本发明的有益效果：通过在DDR区域开口，将DDR的反射带来的干扰能量通过散热装置的缺口处释放，解决DDR工作信号通过散热装置产生反射会干扰覆盖区域内的存储器模块发出的敏感信号的问题，不用增加电路成本，不用改版产品的结构设计。
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公开(公告)号：CN110321310A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910517458.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种实现串口与USB接口共用的方法，其中包括：步骤S1、提供一USB插座，USB插座连接一USB控制芯片；步骤S2、采用USB插座连接外部插入的USB连接线及外部的串口板的USB连接线，其中，串口板的ID引脚接地，以通过USB控制芯片将USB接口与串口共用。本发明的技术方案有益效果在于：提供一种实现串口与USB接口共用的方法，将USB接口与串口复用，并且只保留USB接口，省略了串口的四个引脚座子，并且方便软件工程师调试整机的软件故障，也便于测试工程师和维修工程师抓取打印信息，便于测试与维修，进而提升测试和维修效率。
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公开(公告)号：CN109508266A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811314492.6
申请日：2018-11-06
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: G06F11/22 , G06K19/073 , G01R23/02
Abstract: 本发明公开了一种抑制EMI干扰的方法，属于电子技术领域。本发明通过识别被测芯片的EMI超标时对应的频率，根据被测芯片EMI超标时的频率对应的频率范围，匹配相应的抑制EMI干扰的策略，根据该抑制EMI干扰的策略执行相应的操作，从而达到快速定位故障，抑制被测芯片的EMI干扰的目的。
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公开(公告)号：CN107819588A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711085258.6
申请日：2017-11-07
Applicant: 晶晨半导体(上海)股份有限公司
IPC: H04L12/02
CPC classification number: H04L12/02
Abstract: 本发明涉及通讯技术领域，尤其涉及一种网络接口电路，其中，包括：网络变压器，包括一次侧线圈和二次侧线圈，二次侧线圈包括位于线圈两端的主抽头以及从二次侧线圈中心引出的中心抽头；接口芯片，包括通信端口和接地端口，每个通信端口分别与网络变压器对应的主抽头连接；其中，二次侧线圈的中心抽头与接地端口均悬置；能够在不增加成本的情况下改善网络接口电路浪涌情况，提高器件性能。
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