公开(公告)号：CN112997291A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980066838.1

申请日：2019-08-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  谢恩·唐 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 ,  约翰·霍昂 ,  亚历山大·杜尔金 ,  潜丹娜 ,  维克兰特·莱

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 提供了用于在半导体衬底上的硫族化物材料上方形成封装双层的方法和设备。方法涉及形成双层，所述双层包含利用脉冲等离子体式等离子体增强化学气相沉积(PP‑PECVD)直接在硫族化物材料沉积的阻挡层以及利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在阻挡层上方沉积的封装层。在多种实施方案中，所述阻挡层利用无卤素的硅前体形成，而通过PEALD所沉积的所述封装层利用含卤素的硅前体与无氢含氮反应物形成。