公开(公告)号：CN117210798A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310929608.1

申请日：2017-09-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 詹姆斯·S·思姆斯 ,  乔恩·亨利 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。

公开(公告)号：CN112997291A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980066838.1

申请日：2019-08-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  谢恩·唐 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 ,  约翰·霍昂 ,  亚历山大·杜尔金 ,  潜丹娜 ,  维克兰特·莱

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 提供了用于在半导体衬底上的硫族化物材料上方形成封装双层的方法和设备。方法涉及形成双层，所述双层包含利用脉冲等离子体式等离子体增强化学气相沉积(PP‑PECVD)直接在硫族化物材料沉积的阻挡层以及利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在阻挡层上方沉积的封装层。在多种实施方案中，所述阻挡层利用无卤素的硅前体形成，而通过PEALD所沉积的所述封装层利用含卤素的硅前体与无氢含氮反应物形成。

公开(公告)号：CN109891550A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780062174.2

申请日：2017-09-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 詹姆斯·S·思姆斯 ,  乔恩·亨利 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 一种在等离子体增强原子层沉积(PEALD)反应室的微体积中处理的半导体衬底上沉积氮化硅膜的方法，其中单个半导体衬底被支撑在基座的陶瓷表面上并且将工艺气体通过喷头的陶瓷表面中的气体出口引入所述半导体衬底上方的反应区中，所述方法包括：(a)用氟等离子体清洁所述基座和所述喷头的所述陶瓷表面，(b)在所述陶瓷表面上沉积不含卤化物的原子层沉积(ALD)氧化物底涂层，(c)在所述不含卤化物的ALD氧化物底涂层上沉积ALD氮化硅预涂层，以及(d)通过将每个半导体衬底转移到所述反应室中并在被支撑在所述基座的所述陶瓷表面上的所述半导体衬底上沉积ALD氮化硅膜来处理成批的半导体衬底。