公开(公告)号：CN106067442A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610255293.7

申请日：2016-04-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杨嘉玲 ,  周宝所 ,  沈美华 ,  索斯藤·利尔 ,  约翰·霍昂

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及钴深蚀刻。提供了蚀刻衬底上的钴的方法。一些方法包括将所述衬底暴露于含硼卤化物气体和添加剂，以及将所述衬底暴露于活化气体和等离子体。相比于在金属的表面上沉积的含硼卤化物材料层，添加剂促使在掩模的表面上选择性地沉积较厚的含硼卤化物材料层。添加剂包括H2、CH4、CF4、NF3、以及Cl2。含硼卤化物气体包括BCl3、BBr3、BF3、和BI3。暴露可以执行两个或多个循环，在该两个或多个循环中，每一暴露的持续时间和偏置功率是可变的。

公开(公告)号：CN117941493A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280060606.7

申请日：2022-09-04

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约翰·霍昂 ,  亚伦·林恩·罗赞 ,  安德烈亚斯·菲舍尔 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  萨沙撒耶·瓦拉达拉简

IPC分类号： H10N70/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10

摘要： 可以通过以下方式蚀刻硫族化物材料层：将具有硫族化物材料层的晶片提供给处理室，将晶片加热到第一温度，在晶片处于第一温度时通过使包含氟化物或氯化物的第一化学物质流动到晶片上来改性硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，通过使第二化学物质流动到晶片上来去除硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。

公开(公告)号：CN112930597A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980070832.1

申请日：2019-10-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 索斯藤·利尔 ,  沈美华 ,  约翰·霍昂 ,  吴惠荣 ,  格伦·古纳万 ,  潘阳

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/06 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/108

摘要： 一种三维(3D)存储器结构包含存储器单元和多个氧化物层以及多个字线层。所述多个氧化物层和所述多个字线层在第一方向上交替堆叠。多个双沟道孔在所述第一方向上延伸贯穿所述多个氧化物层和所述多个字线层。所述多个双沟道孔在横向于所述第一方向的第二方向上具有花生状的截面。

公开(公告)号：CN106067442B

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201610255293.7

申请日：2016-04-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杨嘉玲 ,  周宝所 ,  沈美华 ,  索斯藤·利尔 ,  约翰·霍昂

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及钴深蚀刻。提供了蚀刻衬底上的钴的方法。一些方法包括将所述衬底暴露于含硼卤化物气体和添加剂，以及将所述衬底暴露于活化气体和等离子体。相比于在金属的表面上沉积的含硼卤化物材料层，添加剂促使在掩模的表面上选择性地沉积较厚的含硼卤化物材料层。添加剂包括H2、CH4、CF4、NF3、以及Cl2。含硼卤化物气体包括BCl3、BBr3、BF3、和BI3。暴露可以执行两个或多个循环，在该两个或多个循环中，每一暴露的持续时间和偏置功率是可变的。

公开(公告)号：CN105225945A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510374339.2

申请日：2015-06-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 吴晖荣 ,  托马斯·约瑟夫·肯尼斯利 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  沈美华 ,  约翰·霍昂 ,  普利素·沙马

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及用于减法金属集成的衬层和阻挡层应用。提供了用于通过减法蚀刻和衬层沉积方法来制造金属互连件、线或者通孔的方法和技术。所述方法涉及沉积铜覆盖层、去除铜覆盖层区域以形成图案、处理图案化金属、沉积铜-电介质交界材料以使得铜-电介质交界材料只附着到图案化的铜、在衬底上沉积电介质阻挡层以及在衬底上沉积电介质主体层。

公开(公告)号：CN112997291A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980066838.1

申请日：2019-08-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 詹姆斯·塞缪尔·西姆斯 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  谢恩·唐 ,  凯瑟琳·梅赛德·凯尔克纳 ,  约翰·霍昂 ,  亚历山大·杜尔金 ,  潜丹娜 ,  维克兰特·莱

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 提供了用于在半导体衬底上的硫族化物材料上方形成封装双层的方法和设备。方法涉及形成双层，所述双层包含利用脉冲等离子体式等离子体增强化学气相沉积(PP‑PECVD)直接在硫族化物材料沉积的阻挡层以及利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在阻挡层上方沉积的封装层。在多种实施方案中，所述阻挡层利用无卤素的硅前体形成，而通过PEALD所沉积的所述封装层利用含卤素的硅前体与无氢含氮反应物形成。

公开(公告)号：CN112956026A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201980073253.2

申请日：2019-09-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 吴惠荣 ,  巴特·J·范施拉芬迪克 ,  马克·直司·川口 ,  格伦·古纳万 ,  杰伊·E·厄格洛 ,  纳格拉杰·尚卡尔 ,  高里·钱纳·卡玛蒂 ,  凯文·M·麦克劳克林 ,  阿南达·K·巴纳基 ,  杨家岭 ,  约翰·霍昂 ,  亚伦·林恩·罗赞 ,  南森·马塞尔怀特 ,  沈美华 ,  索斯藤·贝恩德·莱尔 ,  迟昊 ,  尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里

IPC分类号： H01L27/11551 ,  H01L27/11524 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。