公开(公告)号：CN111954929A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980024529.8

申请日：2019-03-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 胡安·瓦尔迪维亚 ,  石川靖 ,  山口叶子

IPC分类号： H01L21/768 ,  G03F1/22 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

摘要： 提供了一种用于蚀刻具有特征的掩模下方的堆叠件中的特征的方法。填充层沉积在掩模上，其中该填充层填充掩模的特征。回蚀填充层以暴露掩模。相对于填充层选择性地去除掩模。使用填充层作为掩模来蚀刻堆叠件。

公开(公告)号：CN108711552A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810271387.2

申请日：2018-03-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 米尔扎弗·阿巴查夫 ,  傅乾 ,  石川靖

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081

摘要： 本发明涉及预防图案坍塌的后处理。提供了一种用于在堆叠中蚀刻特征的方法，所述堆叠包括在碳基掩模层上的图案化硬掩模。将图案从图案化硬掩模转移到碳基掩模层，其包括：提供包含含氧组分和SO2或COS中的至少一种的转移气体的流动，将转移气体形成为等离子体，提供大于10伏的偏置，以及停止转移气体的流动。提供了后处理，其包括：提供包含He、Ar、N2、H2或NH3中的至少一种的后处理气体的流动，其中提供所述流以维持介于50mTorr和500mTorr(包括端值)之间的处理压强；将后处理气体形成为等离子体；提供大于20伏的偏置；以及停止所述后处理气体的流动。

公开(公告)号：CN108711552B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201810271387.2

申请日：2018-03-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 米尔扎弗·阿巴查夫 ,  傅乾 ,  石川靖

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 本发明涉及预防图案坍塌的后处理。提供了一种用于在堆叠中蚀刻特征的方法，所述堆叠包括在碳基掩模层上的图案化硬掩模。将图案从图案化硬掩模转移到碳基掩模层，其包括：提供包含含氧组分和SO2或COS中的至少一种的转移气体的流动，将转移气体形成为等离子体，提供大于10伏的偏置，以及停止转移气体的流动。提供了后处理，其包括：提供包含He、Ar、N2、H2或NH3中的至少一种的后处理气体的流动，其中提供所述流以维持介于50mTorr和500mTorr(包括端值)之间的处理压强；将后处理气体形成为等离子体；提供大于20伏的偏置；以及停止所述后处理气体的流动。

公开(公告)号：CN112970096A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201980072838.2

申请日：2019-10-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 谭忠魁 ,  谢丽斯 ,  山口叶子 ,  石川靖 ,  帕特里克·蓬那特 ,  钟成珍 ,  桑军·帕克 ,  李源哲 ,  崔佳英

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明描述了一种用于在蚀刻应用中形成竖直生长掩模的方法。所公开的实施方案包含导入含钨沉积前体以及一或多种载气，同时点燃等离子体，以选择性地在图案化蚀刻掩模的正特征的场域上沉积钨而不实质沉积在正特征的侧壁上或在图案化蚀刻掩模下方的目标层的暴露表面上。