公开(公告)号：CN118339636A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079498.8

申请日：2022-11-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 苏玛娜·哈玛 ,  法亚兹·A·谢赫

IPC分类号： H01L21/302 ,  C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  H01L21/02

摘要： 在半导体衬底上沉积高应力、热稳定的压缩氮化物膜。可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在产生具有高压缩膜应力并且当暴露于高于压缩氮化物的沉积温度的温度时具有最小应力偏移的压缩氮化物膜的条件下沉积压缩氮化物膜。在一些实现方案中，压缩氮化物膜是氮化硅膜。PECVD条件可以减少氮化硅中的Si‑H键的数量以获得改善的热稳定性。在一些实现方案中，高应力、热稳定氮化物膜沉积在半导体衬底的背面上以用于晶片弯曲补偿。

公开(公告)号：CN113892168A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039328.8

申请日：2020-03-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴特·J·范施拉芬迪克 ,  苏玛娜·哈玛 ,  欧铠麟 ,  李明 ,  马来·米兰·萨曼塔雷

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505

摘要： 公开了用于仅在例如3D NAND阶梯之类的结构的水平表面上形成硅氮化物(SiN)的方法。这允许用于后续形成通孔的较厚着陆垫。在一些实施方案中，所述方法涉及在阶梯上沉积SiN层，接着进行处理以相对于侧壁表面而选择性地使水平表面上的SiN层致密化。接着，执行湿蚀刻以将SiN从侧壁表面移除。选择性的处理在水平表面和侧壁之间造成明显不同的湿蚀刻速率(WER)。