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公开(公告)号：CN101529562B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780038501.7
申请日：2007-10-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32009 , H01J37/32568 , Y10T29/49002
摘要： 一种电极总成和在用于半导体基片处理的等离子反应室中将外环围绕电极总成定中心的方法。该方法包括围绕该电极总成的背衬构件的外部表面设置外环，以及将至少一个定心元件插在该外环和该背衬构件之间。该定心元件可以是容纳在该背衬构件的外部表面的腔体中的多个弹簧加载定心元件，该定心元件具有适于接触该外环的第一端和适于容纳弹簧的第二端。该外环围绕该背衬构件的外部表面，从而该多个弹簧加载定心元件位于该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。
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公开(公告)号：CN101496144A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780002304.X
申请日：2007-01-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迪安·J·拉松
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45561 , F16K19/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/312 , Y10T29/49 , Y10T137/0491 , Y10T137/877
摘要： 提供一种用于将不同气体组成提供到室(如等离子处理设备的等离子处理室)的气体分配系统的气体切换系统。该室可包括多个区域，以及该气体切换部分可将不同的气体提供到该多个区域。该切换部分可切换一个或多个气体的流动，从而可以将一种气体提供到该室，而将另一种气体提供到旁通管线，并且然后切换该气流。
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公开(公告)号：CN101583855B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN200680025770.5
申请日：2006-07-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/42 , G01F1/36 , G01F25/0007 , G05D7/0652
摘要： 本发明提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
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公开(公告)号：CN101529561A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038473.9
申请日：2007-10-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
摘要： 一种用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极总成。该总成包括上部电极、贴附到该上部电极的上表面的背衬构件和外环。该外环围绕该背衬构件的外部表面并且位于该上部电极的上表面之上。
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公开(公告)号：CN101496144B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200780002304.X
申请日：2007-01-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迪安·J·拉松
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45561 , F16K19/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/312 , Y10T29/49 , Y10T137/0491 , Y10T137/877
摘要： 本发明提供一种用于将不同气体组成提供到室(如等离子处理设备的等离子处理室)的气体分配系统的气体切换系统。该室可包括多个区域，以及该气体切换部分可将不同的气体提供到该多个区域。该切换部分可切换一个或多个气体的流动，从而可以将一种气体提供到该室，而将另一种气体提供到旁通管线，并且然后切换该气流。
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公开(公告)号：CN101583855A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680025770.5
申请日：2006-07-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/42 , G01F1/36 , G01F25/0007 , G05D7/0652
摘要： 提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
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公开(公告)号：CN101529562A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038501.7
申请日：2007-10-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32009 , H01J37/32568 , Y10T29/49002
摘要： 一种电极总成和在用于半导体基片处理的等离子反应室中将外环围绕电极总成定中心的方法。该方法包括围绕该电极总成的背衬构件的外部表面设置外环，以及将至少一个定心元件插在该外环和该背衬构件之间。该定心元件可以是容纳在该背衬构件的外部表面的腔体中的多个弹簧加载定心元件，该定心元件具有适于接触该外环的第一端和适于容纳弹簧的第二端。该外环围绕该背衬构件的外部表面，从而该多个弹簧加载定心元件位于该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。
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