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公开(公告)号：CN102448627A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022833.8
申请日：2010-05-18
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： B23P17/04 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , Y10T29/494
摘要： 用于物理限制施加在半导体晶片上的液体介质的装置、方法和系统，包括配置为覆盖半导体晶片顶部和底部表面至少部分的第一和第二化学头。第一和第二化学头的每个包括在各自化学头前沿的成角度的入口管道以将液体化学品单相输送到弯月面袋中。由化学头覆盖的半导体晶片顶部和底部表面的部分来界定弯月面袋，并配置为接收和容纳作为弯月面施加到半导体晶片表面的液体化学品。沿第一和第二化学头前沿的弯月面袋的外围形成阶，以基本将液体化学品的弯月面限制在弯月面袋中。所述阶覆盖弯月面袋的至少部分，阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征。内部返回管道界定在各自化学头后沿的弯月面袋内，用以在清洁过程后单相去除半导体晶片表面的液体化学品。
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公开(公告)号：CN102448627B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201080022833.8
申请日：2010-05-18
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： B23P17/04 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , Y10T29/494
摘要： 用于物理限制施加在半导体晶片上的液体介质的装置、方法和系统，包括配置为覆盖半导体晶片顶部和底部表面至少部分的第一和第二化学头。第一和第二化学头的每个包括在各自化学头前沿的成角度的入口管道以将液体化学品单相输送到弯月面袋中。由化学头覆盖的半导体晶片顶部和底部表面的部分来界定弯月面袋，并配置为接收和容纳作为弯月面施加到半导体晶片表面的液体化学品。沿第一和第二化学头前沿的弯月面袋的外围形成阶，以基本将液体化学品的弯月面限制在弯月面袋中。所述阶覆盖弯月面袋的至少部分，阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征。内部返回管道界定在各自化学头后沿的弯月面袋内，用以在清洁过程后单相去除半导体晶片表面的液体化学品。
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公开(公告)号：CN101583855A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680025770.5
申请日：2006-07-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/42 , G01F1/36 , G01F25/0007 , G05D7/0652
摘要： 提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
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公开(公告)号：CN102112193B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980130735.3
申请日：2009-08-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B01D19/00
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 一个示例实施方案中，用于将流体沉积在半导体晶片上的顶部附近头部包括接收流体的输送孔。所述顶部附近头部包括风室，其通过许多输入通道与所述输送孔相连，流体从所述输送孔流入所述输入通道。各输入通道具有倒置的V-型开口，其促使所有气泡向上流。所述流体从所述风室流经顶部附近头部外的输出通道而形成弯月面。通过通向返回孔的返回通道将所述流体从所述弯月面吸回到所述顶部附近头部。一通路将所述输送孔与所述返回孔相连，允许气泡从所述输送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允许可忽略量的流体在所述两孔之间直接流动而不经过所述风室。
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公开(公告)号：CN102427891A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021391.5
申请日：2010-05-21
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B08B1/02
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 在一种例示的实施方式中，一种加湿系统包括邻近头和基片(例如，半导体晶片)载体。所述邻近头配置为导致弯液面中的水流体流流过所述邻近头的表面。所述邻近头的表面通过所述流与基片的表面连接。所述头的表面是由具有限制、保持和/或促进所述流的表面形貌改变的非活性材料(例如，热塑性)组成的。所述表面形貌改变可以是用圆锥形划线器(例如，带有金刚石或碳化硅尖)直接刻制在表面上，或使用模板熔化印刷在表面上。这些改变可能会导致半芯吸或超疏水性。所述载体使所述基片的表面接触所述流。
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公开(公告)号：CN101583855B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN200680025770.5
申请日：2006-07-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/42 , G01F1/36 , G01F25/0007 , G05D7/0652
摘要： 本发明提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
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公开(公告)号：CN102427891B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201080021391.5
申请日：2010-05-21
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B08B1/02
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 在一种例示的实施方式中，一种加湿系统包括邻近头和基片(例如，半导体晶片)载体。所述邻近头配置为导致弯液面中的水流体流流过所述邻近头的表面。所述邻近头的表面通过所述流与基片的表面连接。所述头的表面是由具有限制、保持和/或促进所述流的表面形貌改变的非活性材料(例如，热塑性)组成的。所述表面形貌改变可以是用圆锥形划线器(例如，带有金刚石或碳化硅尖)直接刻制在表面上，或使用模板熔化印刷在表面上。这些改变可能会导致半芯吸或超疏水性。所述载体使所述基片的表面接触所述流。
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公开(公告)号：CN102112193A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130735.3
申请日：2009-08-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B01D19/00
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： 一个示例实施方案中，用于将流体沉积在半导体晶片上的顶部附近头部包括接收流体的输送孔。所述顶部附近头部包括风室，其通过许多输入通道与所述输送孔相连，流体从所述输送孔流入所述输入通道。各输入通道具有倒置的V-型开口，其促使所有气泡向上流。所述流体从所述风室流经顶部附近头部外的输出通道而形成弯月面。通过通向返回孔的返回通道将所述流体从所述弯月面吸回到所述顶部附近头部。一通路将所述输送孔与所述返回孔相连，允许气泡从所述输送孔逃逸到所述返回孔。所述通路允许可忽略量的流体在所述两孔之间直接流动而不经过所述风室。
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公开(公告)号：CN101385127B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200780005363.2
申请日：2007-02-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32009 , Y10T156/10
摘要： 一种用于半导体基片处理的等离子反应室的电极组件，其包含具有粘合表面的衬垫构件，具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的内部电极，以及具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的外部电极。至少一个上述电极具有法兰，该法兰在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。
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公开(公告)号：CN101385127A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005363.2
申请日：2007-02-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/461
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32009 , Y10T156/10
摘要： 一种用于半导体基片处理的等离子反应室的电极组件，其包含具有粘合表面的衬垫构件，具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的内部电极，以及具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的外部电极。至少一个上述电极具有法兰，该法兰在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。
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