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公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
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公开(公告)号：CN107452653A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710399808.5
申请日：2017-05-31
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及一种具有集成蒸气浓度传感器的蒸气歧管。提供了用于诸如原子层沉积操作之类的半导体处理操作的蒸气积聚器储存器。这种蒸气积聚器储存器可以包括光束端口，以允许光束通过蒸气传输并允许测量储存器中的蒸气浓度。在一些实施方案中，储存器可以与真空泵送歧管集成，并且储存器和歧管可以由公共加热系统加热以防止蒸气冷凝。
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公开(公告)号：CN114641592A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080075633.2
申请日：2020-08-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 拉维·韦兰基 , 埃里克·H·伦茨 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 桑杰·戈皮纳特 , 米卡尔·达内克 , 普罗德尤特·玛久姆德 , 诺维·特约克洛 , 陈彦璋 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 提供各种喷头及方法。一种喷头可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有气体入口、第一圆锥台表面以及第二圆锥台表面；充气部容积，其流体连接至所述气体入口，且至少部分地由所述气体入口、所述面板的所述背表面、所述第一圆锥台表面、以及所述第二圆锥台表面限定；以及挡板，其位于所述充气部容积内，且具有多个挡板通孔，所述多个挡板通孔延伸穿过所述挡板。所述第二圆锥台表面可以相对于所述喷头的中心轴而从所述第一圆锥台表面径向地往外定位，并且所述第二圆锥台表面可以沿着所述中心轴而定位成比所述第一圆锥台表面更远离所述气体入口。
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公开(公告)号：CN114846596A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080088661.8
申请日：2020-12-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/455
摘要： 公开了用于在某些处理操作期间支撑半导体晶片的卡盘。卡盘可以包括靠近晶片外周边的具有一个或多个表面的凹入区域，该表面面向晶片但从那里凹入以便不接触晶片周边周围的晶片。这种凹入区域的使用防止了卡盘和晶片之间的直接热传导接触，从而允许晶片在某些工艺条件下实现更均匀的温度分布。这具有使某些处理操作相对于边缘到中心沉积(或蚀刻)层厚度更均匀的进一步效果。
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公开(公告)号：CN107017196B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201611128714.6
申请日：2016-12-09
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本发明涉及具有防滑和防旋转特征的晶片支撑基座。提供了一种用于半导体处理的装置，其包括基座，所述基座包括晶片支撑表面，所述晶片支撑表面包括多个台和凹槽结构。每个台可以被界定在两个或更多个凹槽之间，每个台可以包括多个台侧壁，台侧壁至少部分地与凹槽中的一个以及与基本上是平坦的表面的台顶表面相交，台顶表面可以彼此基本上共面，并且台顶表面可以被配置为在半导体操作期间支撑晶片。
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公开(公告)号：CN101583855B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN200680025770.5
申请日：2006-07-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01F25/00
CPC分类号： G01F1/42 , G01F1/36 , G01F25/0007 , G05D7/0652
摘要： 本发明提供了在用于提供气体到等离子体处理室(12)的气体供应系统中测量气体流率的方法。在差异流量方法中，在不同设定流率操作流量控制器，并且在环境条件下为该设定流率测量上游孔压力。该测量的孔压力作为参考提供给次级流量校验方法，该次级流量校验方法为不同设定流率产生对应的实际气体流率。该上游孔压力可用作对后续上游孔压力测量的差异比较，该后续测量可在该室的任何温度条件下进行。在绝对流量方法中，预先确定所选取气体和孔的一些参数，并且当该气体从流量控制器以设定流率流过一个孔时测量该气体的其它参数。
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公开(公告)号：CN117222773A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280030373.6
申请日：2022-04-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克里斯多夫·盖奇 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 埃里克·H·伦茨 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 提供各种系统及方法，通过使用方案的组合来防止衬底上的背面沉积。方案包括将衬底夹持至基座和/或供应清扫气体至不想要沉积的区域。夹持方法包括静电或真空夹持。此外，提供各种基座及边缘环设计，用于供应清扫气体至不想要沉积的区域。将夹持与清扫结合使用可进一步提高效能，而不会影响在衬底正面的材料沉积。通过将基座的上表面加工成具有轻微的盘状或圆顶状形状(即，分别为凹形或凸形)，可使沿着衬底边缘的夹持更有效。
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