公开(公告)号：CN1574291A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046433.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中冈弘明 ,  中西贤太郎 ,  海本博之 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。

公开(公告)号：CN1627534A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410097854.2

申请日：2004-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西贤太郎 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在半导体衬底(11)上形成栅绝缘膜(12)，在栅绝缘膜上形成薄膜多晶硅膜(13)。然后，通过进行等离子体氮化，向薄膜多晶硅膜(13)中导入氮。接着，在薄膜多晶硅膜(13)上形成多晶硅膜(14)，通过进行等离子体氮化，在多晶硅膜(14)的上部形成深度10nm以下的含氮区(15)。把多晶硅膜(14)构图，形成栅电极(16)。然后，在半导体衬底(11)中形成SD扩展区(17)，在栅电极(16)的侧面上形成侧壁(20)后，在半导体衬底(11)中形成源漏区(21)。在栅绝缘型的P型半导体器件中，确保NBTI特性，通过抑制栅电极中包含的硼的穿越，提高驱动力。

公开(公告)号：CN1291484C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410046433.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中冈弘明 ,  中西贤太郎 ,  海本博之 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。