公开(公告)号：CN104608669A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410771954.2

申请日：2011-09-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 脇田由实 ,  加藤弓子 ,  榊原瑞穗 ,  井上谦一

IPC分类号： B60N2/64 ,  B62D1/02 ,  B60L15/20 ,  B60N2/00 ,  B60N2/24 ,  B60N2/44 ,  B60N2/46 ,  A61G5/04

CPC分类号： B60N2/002 ,  A61G5/04 ,  A61G2203/10 ,  A61G2203/44 ,  B60L15/2036 ,  B60L2200/24 ,  B60L2200/26 ,  B60L2200/44 ,  B60L2240/423 ,  B60N2/245 ,  B60N2/643 ,  B60N2/646 ,  B60N2/75 ,  B60N2002/247 ,  B62D1/02 ,  Y02P90/60 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/72 ,  Y02T10/7275 ,  Y10T477/10 ,  B60N2/986 ,  Y02T10/642

摘要： 一种搭乘型移动体及搭乘型移动体的控制方法。具备：使用靠背(2a)的配置在搭乘者(91)的左右的肩胛骨进行接触的区域上的靠背用姿态传感器(9a、9b)，检测搭乘者的姿态的变化，由此来判定所述搭乘者的操作意图的接触位置依赖型的操作意图判定部(102)；仅在判定为操作意图存在时，根据处于左右对称的位置的传感器输出值之差，来判定搭乘者的向左右旋转的意图的左右变化量比较型的旋转意图判定部(103)。

公开(公告)号：CN102763001A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180005180.7

申请日：2011-06-27

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 福田健志 ,  井上谦一 ,  佐藤亨 ,  阪本卓也 ,  佐保贤志

IPC分类号： G01S13/89 ,  G01S13/28 ,  G01S13/42 ,  G01S13/50

CPC分类号： G01S13/288 ,  G01S3/48 ,  G01S13/64 ,  G01S13/89 ,  G01S2007/2886

摘要： 本发明包括：延迟码产生部(103b)，利用M个扫描期间反复进行扫描处理，该扫描处理是指，在用于扫描与雷达成像装置的距离不同的N个距离门的扫描期间中，产生作为发送码(M1)的与距离门相对应的N个延迟码(M2)；信号存储部(181a和181b)，与距离门以及扫描期间相对应地存储基带信号(Rij)；存储控制部(185)，将与一个扫描期间相对应的N个检波信号(R1j～RNj)在M扫描期间中反复写入到信号存储部(181a和181b)，读出与互不相同的扫描期间相对应的M个检波信号(Ri1～RiM)的组；多普勒辨别部(182a和182b)，对距离门相同的检波信号(Ri1～RiM)进行频率分析；以及波达方向计算部(183)，估计目标的方向。

公开(公告)号：CN1606203A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410083600.5

申请日：2004-10-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大西俊一 ,  井上谦一

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/305 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34326

摘要： 本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为p型掺杂剂的镁(Mg)，边通过晶粒生长，在由GaAs构成的基板(10)上形成由AlGaInP构成的第一半导体层(11)，接着，在第一半导体层(11)上，以不添加镁的方式生长第二半导体层(12)。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂(存储效应)。因此根据本发明的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在III－V族化合物半导体的p型掺杂剂中使用镁(Mg)的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN102763001B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180005180.7

申请日：2011-06-27

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 福田健志 ,  井上谦一 ,  佐藤亨 ,  阪本卓也 ,  佐保贤志

IPC分类号： G01S13/89 ,  G01S13/28 ,  G01S13/42 ,  G01S13/50

CPC分类号： G01S13/288 ,  G01S3/48 ,  G01S13/64 ,  G01S13/89 ,  G01S2007/2886

摘要： 本发明包括：延迟码产生部(103b)，利用M个扫描期间反复进行扫描处理，该扫描处理是指，在用于扫描与雷达成像装置的距离不同的N个距离门的扫描期间中，产生作为发送码(M1)的与距离门相对应的N个延迟码(M2)；信号存储部(181a和181b)，与距离门以及扫描期间相对应地存储基带信号(Rij)；存储控制部(185)，将与一个扫描期间相对应的N个检波信号(R1j～RNj)在M扫描期间中反复写入到信号存储部(181a和181b)，读出与互不相同的扫描期间相对应的M个检波信号(Ri1～RiM)的组；多普勒辨别部(182a和182b)，对距离门相同的检波信号(Ri1～RiM)进行频率分析；以及波达方向计算部(183)，估计目标的方向。

公开(公告)号：CN100533883C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200410083600.5

申请日：2004-10-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 大西俊一 ,  井上谦一

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/305 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34326

摘要： 本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为p型掺杂剂的镁(Mg)，边通过晶粒生长，在由GaAs构成的基板(10)上形成由AlGaInP构成的第一半导体层(11)，接着，在第一半导体层(11)上，以不添加镁的方式生长第二半导体层(12)。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂(存储效应)。因此根据本发明的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在III-V族化合物半导体的p型掺杂剂中使用镁(Mg)的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN102821730A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016578.0

申请日：2011-09-09

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 脇田由实 ,  加藤弓子 ,  榊原瑞穗 ,  井上谦一

IPC分类号： A61G5/04 ,  B60L15/00 ,  B60N2/44 ,  B62D11/04

CPC分类号： B60N2/002 ,  A61G5/04 ,  A61G2203/10 ,  A61G2203/44 ,  B60L15/2036 ,  B60L2200/24 ,  B60L2200/26 ,  B60L2200/44 ,  B60L2240/423 ,  B60N2/245 ,  B60N2/643 ,  B60N2/646 ,  B60N2/75 ,  B60N2002/247 ,  B62D1/02 ,  Y02P90/60 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/72 ,  Y02T10/7275 ,  Y10T477/10

摘要： 具备：使用靠背(2a)的配置在搭乘者(91)的左右的肩胛骨进行接触的区域上的靠背用姿态传感器(9a、9b)，检测搭乘者的姿态的变化，由此来判定所述搭乘者的操作意图的接触位置依赖型的操作意图判定部(102)；仅在判定为操作意图存在时，根据处于左右对称的位置的传感器输出值之差，来判定搭乘者的向左右旋转的意图的左右变化量比较型的旋转意图判定部(103)。