公开(公告)号：CN100442452C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。

公开(公告)号：CN101351871B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。

公开(公告)号：CN1886824A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。

公开(公告)号：CN104425202A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410440345.9

申请日：2014-09-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  奥根充弘

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32853 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，抑制等离子处理中的、对环状框架造成的热影响，还防止该热影响所导致的罩的损伤。对保持在由环状的框架(7)和保持片(6)构成的搬运托架(5)上的基板(2)实施等离子处理。等离子处理装置具备：腔室(4)，其具有能够减压的内部空间；等离子源(12)，其在腔室(4)内产生等离子；工作台(11)，其设置在腔室(4)内，并载置搬运托架(5)；罩(28)，其载置在工作台(11)的上方，覆盖保持片(6)和框架(7)，且具有以在厚度方向上贯通的方式形成的窗部(32)。罩(28)由导热性优异的材料构成，暴露于等离子的表面中的、至少窗部(32)侧由保护部(28a)覆盖，保护部(28a)由与等离子反应的反应性低的材料构成。

公开(公告)号：CN101351871A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。