公开(公告)号：CN108573898A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810126635.4

申请日：2018-02-07

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 池尙炫 ,  金昌敎

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67109 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67115

摘要： 一种气体喷射装置、包括气体喷射装置的衬底加工设施、及使用衬底加工设施来加工衬底的方法。根据本发明实施例的一种气体喷射装置包括：喷射部件，在衬底的宽度方向上设置并对齐在位于所述衬底的外侧的一侧上，且具有多个喷嘴，所述多个喷嘴用于朝所述衬底喷射气体；以及喷射控制单元，用于自动地控制以下中的至少一者：是否多个喷嘴中的每一者均喷射气体，使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密度分布变为目标气体密度分布类型。因此，根据本发明的实施例，使用多种类型的工艺类型或多种类型的气体密度分布类型使得易于施行所述工艺，且用于调整所述多个喷嘴的开启或关闭操作的时间可缩短。

公开(公告)号：CN108573847A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201710149543.3

申请日：2017-03-14

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 佘清

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32522 ,  H01J37/32651

摘要： 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括介质窗、环绕在介质窗内侧的法拉第屏蔽件和绝缘环、环绕在介质窗外侧的射频线圈，绝缘环设置在法拉第屏蔽件的底部，用以支撑法拉第屏蔽件。其中，射频线圈包括线圈本体，该线圈本体沿介质窗的轴向呈螺旋状缠绕，且在线圈本体中设置有冷却通道，该冷却通道沿线圈本体的缠绕方向延伸。通过向冷却通道内通入冷却媒介，来冷却介质窗，从而间接冷却法拉第屏蔽件，进而可以减小法拉第屏蔽件的热膨胀量，从而可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏，进而提高工艺稳定性和设备可靠性。

公开(公告)号：CN108140588A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680033926.8

申请日：2016-08-31

申请人： 应用材料公司

发明人： 路雪松 ,  张林 ,  安德鲁·V·勒

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67253 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G05B19/41875 ,  G05B19/4189 ,  G05B2219/37008 ,  G05B2219/45032 ,  G05B2219/50388 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

摘要： 本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。

公开(公告)号：CN108074792A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711021998.3

申请日：2017-10-27

申请人： 应用材料公司

发明人： T·J·富兰克林 ,  S·E·巴巴扬 ,  P·A·克劳思

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32449 ,  B05B1/005 ,  B05B1/18 ,  B05B12/10 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32981 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32954 ,  H01L21/3065

摘要： 公开了热重复性和原位喷头温度监测。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面对接，使得在气体分配板与一个或多个温度检测组件中的每一者之间形成热结合。每个温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面对接，使得轴向负载沿着突出特征的轴线而放置在气体分配板上。温度探测器定位在突出特征的主体中。

公开(公告)号：CN105491780B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510627231.X

申请日：2015-09-28

申请人： 日新电机株式会社

发明人： 安东靖典 ,  李东伟

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/3211 ,  H01J37/32522

摘要： 本发明提供一种等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置，天线是配置在真空容器内以用于产生电感耦合型等离子体的天线，即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。天线(20)配置在真空容器(2)内，用于使高频电流流经以使真空容器(2)内产生电感耦合型等离子体(16)，所述天线(20)具备：绝缘管(22)；以及中空的天线本体(24)，配置在绝缘管(22)中，且内部流经有冷却水，天线本体(24)采用使中空绝缘体(28)介隔在相邻的金属管(26)间而将多个金属管(26)串联连接的结构，各连接部具有相对于真空及所述冷却水的密封功能。本发明即使在加长天线的情况下，也能够抑制其阻抗的增大。

公开(公告)号：CN107818907A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710947719.X

申请日：2017-09-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森 ,  泰万·基姆

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11524

CPC分类号： H01L21/02252 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02326 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01L27/11524

摘要： 基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基板暴露于蒸汽；以及共形氧化基板。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。

公开(公告)号：CN107818906A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710827129.3

申请日：2017-09-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 克里斯托弗·S·奥尔森 ,  泰万·基姆

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11524

CPC分类号： H01L21/02252 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02326 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01L27/11524

摘要： 基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。一种处理半导体基板的方法包括：开始基板的高纵横比结构的共形自由基氧化，包括：加热基板；以及将基板暴露于蒸汽；以及共形氧化基板。半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。

公开(公告)号：CN104681464B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201410421739.X

申请日：2014-08-25

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 西堂周平

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/22

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在使用了缓冲空间的枚叶式装置中，也会抑制缓冲空间的副产物的产生。为了解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，其具有载置部，该载置部具有供衬底载置的载置面；喷头，其具有缓冲室且设置在上述处理室的上游；气体供给系统，其经由上述喷头的缓冲室交替地向上述处理室供给至少两种气体；和加热部，其在从上述气体供给系统供给气体的期间，以第1温度对缓冲室进行加热，而且以比上述第1温度高的温度对上述处理室进行加热。

公开(公告)号：CN104789946B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201410025402.7

申请日：2014-01-21

申请人： 上海理想万里晖薄膜设备有限公司

发明人： 刘传生 ,  杨飞云 ,  陈金元 ,  谭晓华

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32522

摘要： 本发明揭示了一种用于PECVD反应腔的绝热导电装置，所述绝热导电装置位于温度高于400℃的PECVD反应腔内，所述绝热导电装置包括：由绝热材料构成的绝热体和在所述绝热体表面涂覆的导电层，所述导电层的厚度应大于等于导电层材料的趋肤深度，本发明能够实现高温PECVD反应腔内良好的绝热和导电的作用，克服了现有技术中因为绝热材料同时又是绝缘材料所导致的加热板产生悬浮电位而影响等离子体场的问题。

公开(公告)号：CN106465530A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580016675.8

申请日：2015-03-19

申请人： MKS仪器股份有限公司

发明人： 陈星 ,  冀成相 ,  艾琳·马登 ,  伊利雅·波可多夫 ,  凯文·W·文策尔

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32229 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

摘要： 用于生成等离子体的装置包括等离子体放电管和导电盘管，导电盘管成螺旋状缠绕在等离子体放电管的外表面周围。波导联接至微波腔体部，所述微波腔体环绕等离子体放电管以将微波能量引导至等离子体放电管中，从而使得在等离子体放电管中生成等离子体。波导部布置成使得微波能量的电场相对于等离子体放电管的纵轴线定向成预定角度。导电盘管中所得的感应电流影响等离子体放电管中的功率吸收，预定角度可选择成使得等离子体放电管中的功率吸收取决于相对于等离子体放电管的纵轴线的预定分布图。