公开(公告)号：CN102203966A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980142895.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 松下电工株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 山江和幸 ,  福岛博司 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：CN101828277A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112223.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 堀笃宽 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置。n侧电极呈沿基板的角部或边缘具有比例一定不变的长度的形状，使从n侧电极流向基板的电流分散，来回避n侧电极附近发热。在这种半导体发光器件中，因为存在n侧电极而使发光面积减小。因此，优选设定n侧电极长度为基板全周长度的20％以上且50％以下的值。这么一来，就在导电性基板的一个面上形成有发光层并且在与形成有发光层的一侧相同的一侧形成有n型电极和p型电极的半导体发光装置中，能够回避当供给大功率时在n侧电极附近发热，能够回避发光效率下降。

公开(公告)号：CN102203966B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980142895.X

申请日：2009-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山江和幸 ,  福岛博司 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。

公开(公告)号：CN101828277B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200880112223.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 堀笃宽 ,  龟井英德 ,  前田修作

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及使用它的半导体发光装置。n侧电极呈沿基板的角部或边缘具有比例一定不变的长度的形状，使从n侧电极流向基板的电流分散，来回避n侧电极附近发热。在这种半导体发光器件中，因为存在n侧电极而使发光面积减小。因此，优选设定n侧电极长度为基板全周长度的20％以上且50％以下的值。这么一来，就在导电性基板的一个面上形成有发光层并且在与形成有发光层的一侧相同的一侧形成有n型电极和p型电极的半导体发光装置中，能够回避当供给大功率时在n侧电极附近发热，能够回避发光效率下降。