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    波导、包括波导的装置和波导的制造方法
    2.
    发明授权
    波导、包括波导的装置和波导的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN102790356B

    公开(公告)日：2015-09-09

    申请号：CN201210148481.1

    申请日：2012-05-14

    申请人： 佳能株式会社

    发明人： 小山泰史

    IPC分类号： H01S5/20

    CPC分类号： H01S1/02 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/3401 ,  H01S2302/02 ,  Y10T29/49016

    摘要： 本公开涉及波导、包括波导的装置和波导的制造方法。提供一种能够抑制由于制造过程等在初始阶段或操作中在半导体中导致的应变和缺陷，以实现诸如振荡特性的特性的改善和稳定化的波导以及该波导的制造方法。波导包括：由相对于波导模式的电磁波介电常数的实部为负的负介电常数介质构成的第一导体层和第二导体层；和与第一导体层和第二导体层接触并被设置在其间并包含半导体部分的芯层。至少第一导体层具有沿面内方向延伸的特定的凹凸结构。

    剥离方法
    3.
    发明公开
    剥离方法 无效

    公开(公告)号：CN104821347A

    公开(公告)日：2015-08-05

    申请号：CN201410827816.1

    申请日：2014-12-25

    申请人： 株式会社迪思科

    发明人： 森数洋司 ,  小柳将 ,  田畑晋

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/0079 ,  G01N21/88 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/3013

    摘要： 本发明提供一种剥离方法，能够在不降低光器件的品质的情况下可靠地剥离外延基板。使用剥离方法将在外延基板的正面隔着缓冲层层叠了光器件层的光器件晶片的光器件层转移至移设基板，具有：复合基板形成工序，在光器件晶片的光器件层的正面借助于接合剂接合移设基板而形成复合基板；缓冲层破坏工序，从复合基板的外延基板的背面侧向缓冲层照射对外延基板照射具有透过性且对缓冲层具有吸收性的波长的激光光线，来破坏缓冲层；以及光器件层移设工序，剥离被实施了缓冲层破坏工序的复合基板的外延基板，将光器件层移设至移设基板，在缓冲层破坏工序中，对复合基板进行加热，缓和产生于外延基板和移设基板上的回弹，向缓冲层照射激光光线。

    量子级联激光元件
    4.
    发明公开
    量子级联激光元件 无效

    公开(公告)号：CN103797668A

    公开(公告)日：2014-05-14

    申请号：CN201280042684.0

    申请日：2012-08-01

    申请人： 独立行政法人理化学研究所

    发明人： 平山秀树 ,  林宗泽

    IPC分类号： H01S5/343

    CPC分类号： H01S5/3401 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/3402 ,  H01S2302/02

    摘要： 本发明的课题是制作一种减小了阈值电流密度(Jth)、提高了最高工作温度(Tmax)的量子级联激光元件。解决的手段是：在本发明的一个实施方式中，提供一种具有QCL结构(100)的THz-QCL元件(1000)，该QCL结构(100)为被一对电极(20、30)夹持的半导体超晶格结构(100A)。半导体超晶格结构(100A)(QCL结构100)具有活性区域(10)，该活性区域(10)例如通过在一对电极之间被施加了电压时的子带间的电子跃迁来发射THz波段的电磁波。该活性区域具有在厚度方向方向上重复设置的具有一定厚度的单位结构(10U)，该单位结构(10U)包括几个交替层叠的势阱层(10W)和势垒层(10B)，势阱层(10W)由作为AlAs和GaAs的混晶的AlxGa1-xAs(0

    光器件晶片的加工方法
    6.
    发明公开
    光器件晶片的加工方法 有权

    公开(公告)号：CN103128440A

    公开(公告)日：2013-06-05

    申请号：CN201210479086.1

    申请日：2012-11-22

    申请人： 株式会社迪思科

    发明人： 森数洋司

    IPC分类号： B23K26/00

    CPC分类号： H01L33/0095 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/53 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341

    摘要： 本发明提供光器件晶片的加工方法，破坏光器件晶片的缓冲层，该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层，并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域，且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的，该光器件晶片的加工方法包括：缓冲层破坏步骤，从外延基板侧向缓冲层照射相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，来破坏缓冲层，该缓冲层破坏步骤包括：第一激光光线照射步骤，完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层；以及第二激光光线照射步骤，不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。

    金属键合硅基激光器的制备方法
    7.
    发明授权
    金属键合硅基激光器的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101741007B

    公开(公告)日：2011-07-27

    申请号：CN200810226036.6

    申请日：2008-11-04

    申请人： 北京大学

    发明人： 秦国刚 ,  洪涛 ,  陈挺 ,  冉广照 ,  陈娓兮

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/02

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/34373

    摘要： 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。

    氮化物半导体发光元件及其制造方法
    8.
    发明授权
    氮化物半导体发光元件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101140977B

    公开(公告)日：2010-04-14

    申请号：CN200710149626.9

    申请日：2007-09-10

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 幡俊雄

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341

    摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层，所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体；金属层；第二透明导体；第一导电型氮化物半导体层；发光层；和第二导电型氮化物半导体层，所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。